富联裕展科技(深圳)有限公司张宗培获国家专利权
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龙图腾网获悉富联裕展科技(深圳)有限公司申请的专利镀膜设备及方法、镀膜件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119824378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411983784.4,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权镀膜设备及方法、镀膜件是由张宗培;秦安立;苏昱铭;张胜瑶;贺威;李宝刚;霍凤娟设计研发完成,并于2024-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本镀膜设备及方法、镀膜件在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种镀膜设备及方法、镀膜件,其中镀膜设备包括腔体、架体及至少两个靶材组。架体设于腔体内且包括第一区域,第一区域用于放置基体。两个靶材组设于架体上,两个靶材组相对设置。每一靶材组包括外靶材和内靶材,沿架体的厚度方向,外靶材在架体上的投影位于第一区域外周,内靶材在架体上的投影位于第一区域内。通过设置外靶材在架体上的投影位于第一外周,内靶材在架体上的投影位于第一区域内,基体位于外靶材和内靶材在架体上的投影之间,以使内外靶材形成封闭的磁场回路,磁场的密度增强。可以有效增加镀膜时粒子溅射能量,改善膜层的附着力。
本发明授权镀膜设备及方法、镀膜件在权利要求书中公布了:1.一种镀膜设备,用于在基体上镀膜,其特征在于,所述镀膜设备包括: 腔体; 架体,设于所述腔体内且包括第一区域,所述第一区域用于放置所述基体;及 至少两个靶材组,设于所述架体上,两个所述靶材组相对设置,每一所述靶材组包括外靶材和内靶材,沿所述架体的厚度方向,所述外靶材在所述架体上的投影位于所述第一区域外周,所述内靶材在所述架体上的投影位于所述第一区域内,每一所述靶材组包括两个外靶材和两个内靶材,且每一所述靶材组的所述外靶材和所述内靶材形成封闭磁场回路。
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