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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种三维存储阵列、存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119769185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280099465.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维存储阵列、存储器及电子设备是由景蔚亮;孙莹;黄凯亮;王正波;廖恒设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维存储阵列、存储器及电子设备在说明书摘要公布了：一种三维存储阵列31、存储器300、存储阵列的形成方法，以及电子设备。涉及半导体存储器技术领域。主要用于提升存储单元400的集成密度，简化制备方法。该存储器300包括衬底100、多个存储层501,502,503，每一个存储层501,502,503包括沿与衬底100相垂直方向堆叠的第一金属层50A1和第二金属层50A2，第一金属层50A1和第二金属层50A2之间被介质层51电隔离开；每一个存储层501,502,503中的一个存储单元400包括晶体管Tr和电容器C，即就是存储单元400中的晶体管Tr和电容器C被集成在堆叠的第一金属层50A1、介质层51和第二金属层50A2中。该存储阵列31在实现三维集成的基础上，还可以减小每一个存储单元400的面积，以提升集成密度，另外，还不会给工艺提出较大的挑战。

本发明授权一种三维存储阵列、存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列，其特征在于，包括： 衬底； 形成在所述衬底上的多个存储层，所述多个存储层沿着与所述衬底相垂直的方向堆叠； 每一个所述存储层包括多个存储单元，每一个所述存储单元包括晶体管和与所述晶体管电连接的电容器； 所述晶体管包括第一极、第二极、栅极和沟道层； 所述电容器包括第一电容电极、电容层和第二电容电极； 所述第一极与所述第一电容电极电连接； 每一个所述存储层包括沿与所述衬底相垂直方向堆叠的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层之间被介质层电隔离开； 所述晶体管的所述第一极和所述电容器形成在所述第一金属层中，所述晶体管的所述第二极形成在所述第二金属层中； 所述栅极的至少部分和所述沟道层的至少部分贯穿在所述介质层中，所述沟道层环绕在所述栅极的外围； 所述第一电容电极、所述电容层和所述第二电容电极沿与所述衬底相平行的方向堆叠，所述电容层环绕在所述第一电容电极的外围。

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