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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种超薄金微纳米结构的中红外分子传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119715440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411748388.3，技术领域涉及：G01N21/3504；该发明授权一种超薄金微纳米结构的中红外分子传感器及其制备方法是由易骏;徐艺澄;胡元飞;尤恩铭;田中群设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄金微纳米结构的中红外分子传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种超薄金微纳米结构的中红外分子传感器的制备方法，包括以下步骤：S1，将光刻胶旋涂在衬底上；S2，于光刻胶表面蒸镀金属膜；S3，对金属膜进行曝光，形成预设的结构图案，所述结构图案为单体型纳米棒阵列天线结构或二聚体型纳米棒阵列天线结构；S4，使用腐蚀液去除金属膜后，对结构图案执行低温显影和定影处理；S5，于结构图案上蒸镀厚度小于10nm的超薄金膜，随后剥离光刻胶及其上覆盖的金属层，从而得到所述超薄金微纳米结构的中红外分子传感器。该传感器可实现中红外宽波段响应的分子传感检测，检测灵敏度最高可达单层分子。

本发明授权一种超薄金微纳米结构的中红外分子传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄金微纳米结构的中红外分子传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将光刻胶旋涂在衬底上； S2，于光刻胶表面蒸镀金属膜； S3，对金属膜进行曝光，形成预设的结构图案，所述结构图案为单体型纳米棒阵列天线结构或二聚体型纳米棒阵列天线结构； S4，使用腐蚀液去除金属膜后，对结构图案执行低温显影和定影处理； S5，于结构图案上蒸镀厚度小于10nm的超薄金膜，随后剥离光刻胶及其上覆盖的金属层，从而得到所述超薄金微纳米结构的中红外分子传感器； 所述单体型纳米棒阵列天线结构图案的结构单元参数为：长750nm、宽50nm、厚度3nm、阵列单元间距100nm、阵列面积为100μm×100μm； 所述在结构图案上蒸镀超薄金膜为：将结构化图案的样品置于电子束蒸镀系统中，待蒸镀腔体真空度小于9×10-8torr后，蒸镀沉积一层厚度为0.5nm至1nm厚的铜薄膜，沉积完成后，将样品置于大气环境中自然氧化；再将样品置于电子束蒸镀系统中，待蒸镀腔体真空度小于9×10-8torr后，蒸镀沉积厚度小于10nm的超薄金膜。

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