深圳大学熊志豪获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种场效应晶体管器件介电层的制备方法及利用其制备场效应晶体管器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411760506.2，技术领域涉及：H10P14/692；该发明授权一种场效应晶体管器件介电层的制备方法及利用其制备场效应晶体管器件的方法是由熊志豪;张文静;屠宇迪;孙钰婷设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场效应晶体管器件介电层的制备方法及利用其制备场效应晶体管器件的方法在说明书摘要公布了：本发明属于场效应晶体管器件技术领域，公开了一种场效应晶体管器件介电层的制备方法及利用其制备场效应晶体管器件的方法。该场效应晶体管器件介电层的制备方法，如下：将硫化铪剥离，得到薄层硫化铪；然后将薄层硫化铪转移至聚二甲基硅氧烷印章上，进行热氧化处理，制得氧化铪介电层。本发明制备的场效应晶体管器件介电层，表面无褶皱，分布均匀，具有原子级平整的特点，是良好天然氧化物接触的高k介电层，用作高k介电层，能够显著提高场效应晶体管器件的亚阈值摆幅等性能。本发明制备的场效应晶体管器件的结构简洁，性能优异，制作方法简单。
本发明授权一种场效应晶体管器件介电层的制备方法及利用其制备场效应晶体管器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将硫化铪剥离，得到薄层硫化铪；然后将所述薄层硫化铪转移至聚二甲基硅氧烷印章上，进行热氧化处理，制得氧化铪介电层； 将所述氧化铪介电层转移至碳纳米管衬底上，然后制作晶体管沟道；再制备源电极、漏电极和栅极，制得场效应晶体管器件； 所述氧化铪介电层包括硫化铪层和氧化铪层；所述碳纳米管衬底依次包括硅层、二氧化硅层和碳纳米管层，转移过程中使所述氧化铪介电层中氧化铪层设置于所述碳纳米管层上； 所述热氧化处理的温度为140~160℃，所述热氧化处理的时间为2.0~2.5h。
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