买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410917340.4，技术领域涉及：H10W10/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张严;楼其村;王典勇;梁志;靳忆帆设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，基底具有第一区域和第二区域，第二区域设置于第一区域的外围；在第一区域的基底内形成第一隔离槽，以及在第二区域的基底内形成第二隔离槽；其中，沿平行于基底的表面方向，第二隔离槽的开口尺寸大于第一隔离槽的开口尺寸；形成至少填充满第二隔离槽的第一介质层和第二介质层；其中，第二介质层位于第一介质层上方，第二介质层沿第一介质层的底部向第一介质层的侧壁进行生成；去除高于第二隔离槽的顶部的第一介质层和第二介质层，将剩余部分的第一介质层和第二介质层作为隔离结构。采用上述技术方案，能够提高半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有第一区域和第二区域，所述第二区域设置于所述第一区域的外围； 在所述第一区域的基底内形成第一隔离槽，以及在所述第二区域的基底内形成第二隔离槽；其中，沿平行于所述基底的表面方向，所述第二隔离槽的开口尺寸大于所述第一隔离槽的开口尺寸； 形成至少填充满所述第二隔离槽的第一介质层和第二介质层；其中，第二介质层位于所述第一介质层上方，所述第二介质层沿所述第一介质层的底部向所述第一介质层的侧壁进行生成； 去除高于所述第二隔离槽的顶部的第一介质层和第二介质层，将剩余部分的第一介质层和第二介质层作为隔离结构； 在所述第一隔离槽和所述第二隔离槽内形成第一介质层的步骤包括： 在所述第一隔离槽和所述第二隔离槽内形成第一子介质层，其中，沿所述基底的法线方向，位于所述第一隔离槽中的第一子介质层具有沟槽； 在所述第一子介质层上的第一隔离槽内，形成至少填充满所述第一隔离槽的剩余空间的第二子介质层；其中，所述第一子介质层和所述第二子介质层作为所述第一介质层； 其中，所述第一子介质层和所述第二子介质层采用HARP工艺形成，且所述第一子介质层的沉积速率小于所述第二子介质层的沉积速率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。