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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410989562.7，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权半导体结构的形成方法是由史晓明;白浩设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成掩膜叠层，所述掩膜叠层包括依次堆叠的多层硬掩膜层；在所述多层硬掩膜层中的顶层硬掩膜层内形成第一开口，所述第一开口露出与所述顶层硬掩膜层相邻的下一层硬掩膜层的顶部，其中，所述多层硬掩膜层中相邻的上层硬掩膜层和下层硬掩膜层具有刻蚀选择比；沿所述第一开口，逐层的在所述顶层硬掩膜层下方的其它硬掩膜层形成开口，直至形成露出所述基底顶部的第二开口；沿所述第二开口，去除部分厚度的所述基底，以在所述基底内形成隔离槽。采用上述技术方案，能够提高半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成掩膜叠层，所述掩膜叠层包括依次堆叠的多层硬掩膜层； 在所述基底上形成覆盖顶层硬掩膜层的光刻图层，所述光刻图层具有露出所述顶层硬掩膜层的顶部的第三开口； 采用第一干法刻蚀工艺，在所述多层硬掩膜层中的顶层硬掩膜层内形成第一开口，所述第一开口露出与所述顶层硬掩膜层相邻的下一层硬掩膜层的顶部，其中，所述多层硬掩膜层中相邻的上层硬掩膜层和下层硬掩膜层具有刻蚀选择比；包括：沿所述第三开口，去除所述第三开口露出的所述顶层硬掩膜层，直至露出与所述顶层硬掩膜层相邻的下一层硬掩膜层的顶部，以形成第一开口；其中，所述第一干法刻蚀工艺对所述顶层硬掩膜层和所述光刻图层具有刻蚀选择比； 沿所述第一开口，逐层的在所述顶层硬掩膜层下方的其它硬掩膜层形成开口，直至形成露出所述基底顶部的第二开口； 去除所述光刻图层之后，沿所述第二开口，去除部分厚度的所述基底，以在所述基底内形成隔离槽；其中，在同一加工设备内，执行所述第一开口的形成步骤，以及所述光刻图层的去除步骤，且是通过改变形成所述第一开口时的第一干法刻蚀工艺的氧气的含量以及能量射频功率、偏置功率的值，去除所述光刻图层。

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