浙江创芯集成电路有限公司张严获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410204864.9，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由张严设计研发完成，并于2024-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底中形成隔离沟槽；在第一反应腔体内，在所述隔离沟槽内形成隔离子介质层，所述隔离子介质层保形覆盖所述隔离沟槽；在形成所述隔离子介质层后，在第二反应腔体内，去除所述隔离沟槽侧壁顶部的部分隔离子介质层；重复执行所述在所述隔离沟槽内形成隔离子介质层，和，所述去除所述隔离沟槽侧壁顶部的部分隔离子介质层的步骤，直至所述隔离沟槽被所形成的隔离子介质层完全填充，其中，以完全填充所述隔离沟槽的多个隔离子介质层为隔离介质层。本申请实施例所提供的半导体结构的形成方法所形成的半导体结构提升了器件的性能。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底中形成隔离沟槽； 在第一反应腔体内，在所述隔离沟槽内形成隔离子介质层，所述隔离子介质层保形覆盖所述隔离沟槽； 在形成所述隔离子介质层后，在第二反应腔体内，去除所述隔离沟槽侧壁顶部的部分隔离子介质层，其中，所述去除所述隔离沟槽侧壁顶部的部分隔离子介质层的步骤中，采用SiCoNi刻蚀工艺去除所述隔离沟槽侧壁顶部的部分隔离子介质层； 重复执行所述在所述隔离沟槽内形成隔离子介质层，和，所述去除所述隔离沟槽侧壁顶部的部分隔离子介质层的步骤，直至所述隔离沟槽被所形成的隔离子介质层完全填充，其中，以完全填充所述隔离沟槽的多个隔离子介质层为隔离介质层。
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