中微半导体设备(上海)股份有限公司廖望获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311160730.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置是由廖望;杨宽设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置，所述方法包括：通过射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率，点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体；通过控制器实时获取取样时间段长度内，射频功率源的反射功率信号的方差和平均值；控制器根据反射功率信号的方差和平均值估算对应的取样时间段长度内反射功率信号的尖峰值的数量，反射功率信号的尖峰值的数量小于预设阈值时判定发生弧光放电。本发明实现了快速检测到有真空反应腔内电弧中的微弧，以便及时得知对应的晶圆的缺陷状态的目的。
本发明授权一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理腔内的电弧的检测方法，其特征在于，包括： 通过射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率，点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体； 通过控制器实时获取取样时间段长度内，所述射频功率源的反射功率信号的方差和平均值； 所述控制器根据所述反射功率信号的方差和平均值估算对应的所述取样时间段长度内所述反射功率信号的尖峰值的数量，所述反射功率信号的尖峰值的数量小于预设阈值时判定发生弧光放电。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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