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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种晶圆键合磁阵列对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411514000.3，技术领域涉及：H10P72/50；该发明授权一种晶圆键合磁阵列对准方法是由叶乐志;王维明设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆键合磁阵列对准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆键合磁阵列对准方法，该方法在晶圆上通过MEMS方式制作若干组具有几何形状及对称分布特性的磁阵列标记，若干组磁阵列标记间呈现对称分布，每组磁阵列中存在若干个磁标记，且每个磁标记间呈现等距分布。通过在夹持及承载机构中采用MEMS方式预埋多组具有对称分布特性的磁传感阵列，每组磁传感阵列中存在若干个磁传感器，每个磁传感阵列中的磁传感器间呈等距分布。每个磁传感器阵列实时采集对应磁标记产生的磁场分布信息，获取每个磁标记的空间位置信息，并通过磁阵列及磁传感器阵列的对称分布特性获得晶圆的空间姿态信息。本发明提高了对磁场分布的信息密度，增强了对磁信息的处理能力，晶圆对准、键合的效率和精度。

本发明授权一种晶圆键合磁阵列对准方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合磁阵列对准方法，其特征在于，该方法在晶圆上通过MEMS方式制作若干组具有几何形状及对称分布特性的磁阵列标记，若干组磁阵列标记间呈现对称分布，每组磁阵列中存在若干个磁标记，且每个磁标记间呈现等距分布；通过在夹持及承载机构中采用MEMS方式预埋多组具有对称分布特性的磁传感阵列，每组磁传感阵列中存在若干个磁传感器，每个磁传感阵列中的磁传感器间呈等距分布；磁阵列标记的数量大于等于磁传感阵列的数量，磁标记的数量小于等于磁传感器的数量，每个磁标记都覆于对应磁传感器阵列之下；每个磁标记贯穿晶圆或制作在晶圆的一侧，磁标记裸露的面朝向夹持机构或承载机构；每个磁传感器制作在夹持机构或者承载机构的表面，裸露在机构表面并且面向晶圆；每个磁传感器阵列实时采集对应磁标记产生的磁场分布信息，获取每个磁标记的空间位置信息，并通过磁阵列及磁传感器阵列的对称分布特性获得晶圆的空间姿态信息；当两片或者多片晶圆叠加时，得到两片或者多片晶圆的空间矢量误差；通过运动系统消除此空间适量误差并完成对准，对准后完成两片晶圆键合； 该方法包含如下步骤： A承载机构与加持机构在空载状态下沿竖直方向相互靠近，或承载机构与夹持机构，或承载机构与校正片，或加持机构与校正片，进行机构自校正并绘制磁场环境； B承载机构将第一晶圆送至第一预设位置，承载机构与夹持机构分别置于第一晶圆两侧；第一预设位置下若干个磁传感阵列与第一晶圆若干个磁阵列标记呈对应关系，任一磁阵列标记不完全置于磁传感阵列覆盖范围之外；夹持机构保持第一晶圆至第二预设位置； C所述磁传感阵列获取第一晶圆磁阵标记列在第二预设位置产生的磁场分布信息，获得所述第一晶圆相对位置信息，获得所述第一晶圆绝对位置信息； D所述承载机构将第二晶圆送至第一预设位置，承载机构置于第二晶圆之下，第一晶圆被夹持机构保持在第二预设位置，置于第二晶圆之上；第一预设位置下若干个磁传感阵列与第二晶圆若干个磁阵列标记呈对应关系，任一磁阵列标记不完全置于磁传感阵列覆盖范围之外； E所述磁传感器阵列同时获取第一晶圆磁阵列标记与第二晶圆磁阵列标记产生的磁场分布信息，获得所述第二晶圆相对位置信息，进而获取所述第二晶圆绝对位置信息； F根据所述第一晶圆与第二晶圆的绝对位置信息，获取第一晶圆与第二晶圆的空间矢量误差信息；所述夹持机构带动第一晶圆进行微调对准； G将所述夹持机构微调后的位置设为第三预设位置；重复所述E步操作，直至第一晶圆与第二晶圆的空间矢量误差小于预设的容忍限度； H第一晶圆在夹持机构保持下，在竖直方向靠近第二晶圆，完成键合过程。

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