浙江创芯集成电路有限公司舒柳飞获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311020688.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其形成方法是由舒柳飞;吴正隆;王典勇;张严;梁志;靳亿帆设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供多组待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底，以及形成于衬底上的器件结构，其中，所述器件结构之间形成有间隙；基于预设的参数套组内参数组的顺序，依次处理所述待处理晶圆，在所述待处理晶圆上形成完全覆盖所述间隙的沉积层；所述参数套组包括多个参数组，一参数组对应一组待处理晶圆，并且，不同参数组对应沉积设备的不同状态；在所述沉积层上形成牺牲层。该方案能够提高半导体器件的良率。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供多组待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底，以及形成于衬底上的器件结构，其中，所述器件结构之间形成有间隙； 基于预设的参数套组内参数组的顺序，依次处理所述待处理晶圆，在所述待处理晶圆上形成完全覆盖所述间隙的沉积层；所述参数套组包括多个参数组，一参数组对应一组待处理晶圆，并且，不同参数组对应沉积设备的不同状态； 在所述沉积层上形成牺牲层； 其中，所述参数套组内的参数组循环执行，所述在所述待处理晶圆上形成完全覆盖所述间隙的沉积层的步骤中，采用沉积工艺形成所述沉积层，且满足如下一项或多项： 所述参数组至少包括反应气体流量，在所述参数套组中，所述反应气体流量随着所述参数组的顺序依次变大； 所述参数组至少包括偏置功率，在所述参数套组中，所述偏置功率随着所述参数组的顺序依次变大； 所述参数组至少包括沉积时长，在所述参数套组中，所述沉积时长随着所述参数组的顺序依次变大。
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