中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411449225.5，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;雒怀志;王晓磊;罗军设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以缓解器件微缩所带来的信号线拥挤的问题。半导体器件包括基底、第一层半导体结构、第二层半导体结构、第一接触结构和第二接触结构。第二层半导体结构沿基底的厚度方向间隔设置在第一层半导体结构的上方。第一接触结构设置在基底内。第一接触结构包括与第一层半导体结构中的晶体管包括的第一源漏区电性接触的第一接触部、以及与第一栅堆叠结构电性接触的第二接触部。第二接触结构设置在第二层半导体结构背离第一层半导体结构的一侧。第二接触结构包括与第二层半导体结构中的晶体管包括的第二源漏区电性接触的第三接触部、以及与第二栅堆叠结构电性接触的第四接触部。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底， 第一层半导体结构，设置在所述基底上； 第二层半导体结构，沿所述基底的厚度方向间隔设置在所述第一层半导体结构的上方；所述第一层半导体结构和第二层半导体结构均包括沿垂直于所述基底的厚度方向间隔分布的多个晶体管； 第一接触结构，设置在所述基底内；所述第一接触结构包括与所述第一层半导体结构中的所述晶体管包括的第一源漏区电性接触的第一接触部、以及与所述第一层半导体结构中的至少部分所述晶体管包括的第一栅堆叠结构电性接触的第二接触部；所述第一接触部和所述第二接触部相互绝缘； 第二接触结构，设置在所述第二层半导体结构背离所述第一层半导体结构的一侧；所述第二接触结构包括与所述第二层半导体结构中的所述晶体管包括的第二源漏区电性接触的第三接触部、以及与所述第二层半导体结构中的至少部分所述晶体管包括的第二栅堆叠结构电性接触的第四接触部；所述第三接触部和所述第四接触部相互绝缘。
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