天合光能股份有限公司余坷获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利钝化接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411580267.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权钝化接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件是由余坷;韩秉伦设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本钝化接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种钝化接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该钝化接触太阳能电池包括：硅基体，包括相对设置的第一表面和第二表面；位于第二表面的第一钝化层，第一钝化层具有第一区域和第二区域；位于第一区域且沿第一方向层叠设置的掺镓多晶硅层、第一掩膜层；位于第二区域且沿第一方向层叠设置的掺硼多晶硅层、第二掩膜层；位于第一掩膜层表面和第二掩膜层表面的第二钝化层；位于第二钝化层表面的第一减反射层。本申请实施例通过设置有掺镓多晶硅层，可以减少B‑O复合缺陷，从而改善P型多晶硅的钝化性能，通过设置掺硼多晶硅层，进而实现钝化性能的提升，又避免额外带来的金属高接触电阻率，实现高性能太阳能电池。
本发明授权钝化接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基体，包括相对设置的第一表面和第二表面； 位于所述第二表面的第一钝化层，所述第一钝化层上具有第一区域和第二区域； 位于所述第一区域且沿第一方向层叠设置的掺镓多晶硅层、第一掩膜层； 位于所述第二区域且沿第一方向层叠设置的掺硼多晶硅层、第二掩膜层； 位于所述第一掩膜层表面和所述第二掩膜层表面的第二钝化层； 位于所述第二钝化层表面的第一减反射层，所述第一减反射层具有金属化区域和非金属化区域，所述金属化区域与所述第二区域相对应；所述掺硼多晶硅层中的硼掺杂浓度为1E18-1E19cm-3，所述掺镓多晶硅层中的镓掺杂浓度为1E16-1E19cm-3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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