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龙图腾网获悉福州大学;福建致卓光电科技有限公司申请的专利导模提拉-顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石晶体的方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411631370.5，技术领域涉及：C30B15/34；该发明授权导模提拉-顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石晶体的方法和应用是由庄乃锋;毋俊颖;管文静;林友志;杨燕端;范小宇;孙义林;胡晓琳;陈新设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本导模提拉-顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石晶体的方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用导模提拉‑顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石BRIG晶体的方法和应用。为解决目前液相外延法生长BRIG晶体中存在的内应力大、缺陷多、单晶厚膜难制备；以及顶部籽晶法存在的生长周期长、籽晶难获取等问题，本发明将导模提拉法晶体的快速生长和顶部籽晶法的高品质单晶生长相结合，发明导模提拉‑顶部籽晶法以实现高品质BRIG单晶的快速生长。首先采用导模提拉法快速生长与BRIG晶格适配度高、成分较接近的大尺寸掺杂稀土铁石榴石晶体，将其切割成厘米级以上籽晶，采用TSSG法快速生长高品质BRIG块状单晶。该方法生长的晶体具有内应力小、开裂少、均匀性好、晶体生长快等优点，在高性能磁光隔离器中有明显优势。

本发明授权导模提拉-顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石晶体的方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种采用导模提拉-顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石晶体的方法，其特征在于，首先采用导模提拉法快速生长与掺铋稀土铁石榴石BRIG晶格适配度高、成分接近的掺杂稀土铁石榴石单晶，将其切割做籽晶，再采用顶部籽晶法快速生长高品质BRIG块状单晶；其中，所述掺杂稀土铁石榴石的化学式为AxRe3-xFe5-yByO12，0≤x≤0.8,0.5＜y≤3，A为Ca2+、Mg2+离子中的一种或多种，B为Ga3+、Sc3+离子中的一种或多种，Re为镧系稀土离子中的一种或多种；该掺杂稀土铁石榴石晶体属于立方晶系，空间群，晶胞常数为12.40~12.60Å；所述BRIG块状晶体的化学式为BixRe3-xFe5-yCyO12，0＜x≤2,0≤y≤3，Re为镧系稀土离子中的一种或多种，C为Ga3+、Sc3+离子中的一种或多种，BRIG晶体属于立方晶系，空间群为，晶胞常数为12.40~12.60Å。

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