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龙图腾网获悉北京大学申请的专利悬空微纳装置及悬空微纳装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119349495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411229290.7，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权悬空微纳装置及悬空微纳装置的形成方法是由宋柏;何海宇;王毓熙;江智耀设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本悬空微纳装置及悬空微纳装置的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种悬空微纳装置及悬空微纳装置的形成方法，其中，悬空微纳装置包括基底和支撑梁。所述基底设有上端开口的腔体。所述支撑梁设于所述腔体的开口处，所述支撑梁相对所述腔体的底端悬空设置，所述支撑梁具有在所述支撑梁周向方向依次设置的第一端部、第二端部和第三端部，所述第二端部在第一水平方向上位于所述第一端部和所述第三端部之间，所述第一端部和所述第三端部在上下方向上位于所述第二端部的同一侧，其中，所述基底和所述支撑梁均为单晶硅。本发明的悬空微纳装置，能够提高支撑梁的强度。

本发明授权悬空微纳装置及悬空微纳装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种悬空微纳装置，其特征在于，包括： 基底，所述基底设有上端开口的腔体； 支撑梁，所述支撑梁设于所述腔体的开口处，所述支撑梁相对所述腔体的底端悬空设置，所述支撑梁具有在所述支撑梁周向方向依次设置的第一端部、第二端部和第三端部，所述第二端部在第一水平方向上位于所述第一端部和所述第三端部之间，所述第一端部和所述第三端部在上下方向上位于所述第二端部的同一侧， 其中，所述基底和所述支撑梁均为单晶硅； 所述支撑梁设有上端开口的槽体，所述支撑梁包括第一支撑部、第二支撑部和悬空岛，所述第一支撑部和所述第二支撑部均沿第二水平方向延伸，所述第一支撑部和所述第二支撑部均设有所述槽体，所述悬空岛在所述第二水平方向上位于所述第一支撑部和所述第二支撑部之间，所述第一支撑部和所述第二支撑部均与所述悬空岛相连，所述悬空岛的宽度大于或等于50微米，所述悬空岛的长度大于或等于50微米，其中，所述第一水平方向、所述第二水平方向和所述上下方向相互垂直； 所述支撑梁还设有连接槽，所述连接槽的上端与所述槽体连通，所述连接槽的下端贯通所述第二端部； 所述悬空岛能够在微纳尺度热电性能测试中，提供与周围环境热隔离的环境，所述槽体和所述连接槽均能够减少至少部分所述支撑梁的截面积，以提高所述支撑梁的热电性能。

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