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龙图腾网获悉润马光能科技(金华)有限公司申请的专利Topcon电池及其制备方法、太阳能组件、太阳能系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411048034.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权Topcon电池及其制备方法、太阳能组件、太阳能系统是由费宇;何亮;张志勇;金强强设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本Topcon电池及其制备方法、太阳能组件、太阳能系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种Topcon电池及其制备方法、太阳能组件、太阳能系统，涉及太阳能电池技术领域，Topcon的制备方法包括：方法包括：步骤1：提供衬底，在衬底的表面进行制绒处理；步骤2：通过硼掺杂和去BSG，得到P+层；步骤3：采用LPCVD和高温磷扩散制备得到隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；步骤4：采用ALD在衬底的正面制备得到氧化铝层；步骤5：采用PECVD在衬底的正面制备得到正面氮化硅层；步骤6：采用PECVD在衬底的背面制备得到背面氮化硅层，并对掺杂多晶硅层进行改性，使得掺杂多晶硅层的表面形成掺杂有碳元素的多晶硅层。本申请不需要增加额外设备，兼容现有LPCVD设备制备包含掺杂有碳元素的多晶硅层的Topcon电池，其操作简单，成本低，适用于大批量推广。

本发明授权Topcon电池及其制备方法、太阳能组件、太阳能系统在权利要求书中公布了：1.一种Topcon电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1：提供衬底，在所述衬底的表面进行制绒处理； 步骤2：通过硼扩散，得到P+层； 步骤3：采用LPCVD和磷扩散制备得到隧穿氧化层和掺杂多晶硅层； 步骤4：采用ALD在所述衬底的正面制备得到氧化铝层； 步骤5：采用PECVD在所述衬底的正面制备得到正面氮化硅层； 步骤6：采用PECVD在所述衬底的背面制备得到背面氮化硅层，并对所述掺杂多晶硅层进行改性，使得所述掺杂多晶硅层的表面形成掺杂有碳元素的多晶硅层； 其中，所述步骤6中，首先，通过预处理改性所述掺杂多晶硅层；所述预处理为在PECVD炉中通入甲烷，并在一定的温度、时间、压力和射频功率下激发所述甲烷；所述预处理过程中：所述甲烷的气体流量为2000~5000sccm，射频功率为8000~15000W，脉冲为20~60：1000，压力为1300~2000mT； 随后，通过至少一个氮化硅处理阶段制备所述背面氮化硅层；至少一个所述氮化硅处理阶段为在PECVD炉中通入氨气和硅烷，并在一定的温度、时间、压力和射频功率下激发所述氨气和所述硅烷； 所述预处理和每个所述氮化硅处理阶段中，所述衬底经过至少一个温区，在每个所述温区中，所述预处理的温度低于所述氮化硅处理阶段的温度。

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