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龙图腾网获悉中建材玻璃新材料研究院集团有限公司申请的专利一种高硬度、高耐磨性碳自掺杂碳化硅半导体薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119162551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411321976.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种高硬度、高耐磨性碳自掺杂碳化硅半导体薄膜的制备方法是由沈洪雪;彭塞奥;王天齐;李刚;姚婷婷设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高硬度、高耐磨性碳自掺杂碳化硅半导体薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高硬度、高耐磨性碳自掺杂碳化硅半导体薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，所述清洗设备包括超声波清洗槽和与超声波清洗槽适配的吊篮，所述超声波清洗槽的正面和背面均固定连接有固定板，所述超声波清洗槽的正面固定连接有安装板，所述安装板上设置有驱动机构，所述固定板上设置有与驱动机构配合使用来带动吊篮抖动的抖动机构，本申请通过驱动机构和抖动机构的相互配合，在利用超声波对衬底清洗后，将吊篮顶起并进行往复抖动，可以对残留在衬底材料上的药液进行处理，取出衬底时以减少对周围环境的污染。

本发明授权一种高硬度、高耐磨性碳自掺杂碳化硅半导体薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高硬度、高耐磨性碳自掺杂碳化硅半导体薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤一、选用玻璃为衬底材料，并利用清洗设备对衬底材料进行清理，之后，再用抖动机构6将衬底材料上的清洗液处理干净； 步骤二、以高纯石墨靶为自掺杂靶材，在整个过程中根据需要而相应启动石墨靶，以碳化硅陶瓷靶为主溅射靶材，同时配以高纯氩气为溅射气体； 步骤三、对溅射腔室抽真空，当真空度达到一定值时，启动靶材，根据溅射工艺要求，相应启动主溅射靶材和相应掺杂靶材； 步骤四、正式进行溅射前，首先进行预溅射，而后设定镀膜工艺参数，进行高硬度、高耐磨性碳自掺杂碳化硅半导体薄膜的制备，镀制完成后，进行200℃真空退火； 其中，所述清洗设备包括超声波清洗槽1和与超声波清洗槽1适配的吊篮2，所述超声波清洗槽1的正面和背面均固定连接有固定板3，所述超声波清洗槽1的正面固定连接有安装板4，所述安装板4上设置有驱动机构5，所述固定板3上设置有与驱动机构5配合使用来带动吊篮2抖动的抖动机构6； 所述抖动机构6包括固定连接在固定板3顶部上的扣板61和第一连接板62，所述扣板61与固定板3之间滑动连接有底板63，所述底板63的一侧固定连接有第二连接板64，所述第二连接板64和第一连接板62之间固定连接有弹簧65，所述底板63上设置有对吊篮2进行支撑的托举机构66； 所述托举机构66包括固定连接在底板63顶部上的气缸661，所述气缸661的输出端固定连接有连接块662，所述连接块662上固定连接有固定架663，所述固定架663上固定连接有托举块664； 所述驱动机构5包括固定连接在安装板4顶部上的电机51，所述电机51的输出端固定连接有转轴52，所述转轴52上固定连接有与底板63配合使用的凸轮53。

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