重庆康佳光电科技有限公司苟先华获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电科技有限公司申请的专利发光芯片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310643732.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权发光芯片制备方法是由苟先华;张彬彬;肖峰;苏财钰设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光芯片制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种发光芯片制备方法，包括步骤如下：在驱动背板上制备第一电极层和外延层，第一电极层电连接于驱动背板和外延层之间；刻蚀外延层以形成多个间隔排布的外延结构；在每个外延结构背离驱动背板的表面制备掩膜层；其中，掩膜层包括保护层和光刻胶；采用干法刻蚀技术对第一电极层图案化，以露出外延结构之间的驱动背板；其中，光刻胶用于保护外延结构，保护层在干法刻蚀时熔化并沿外延结构的侧壁流动以覆盖侧壁；去除掩膜层并在每个外延结构上分别制备第二电极层。本申请发光芯片制备方法能够提高发光芯片的发光效率和发光效果，并能够提高制备发光芯片的良品率。
本发明授权发光芯片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光芯片制备方法，其特征在于，包括步骤如下： 在驱动背板上制备第一电极层和外延层，所述第一电极层电连接于所述驱动背板和所述外延层之间； 刻蚀所述外延层以形成多个间隔排布的外延结构； 在每个所述外延结构背离所述驱动背板的表面制备掩膜层；其中，所述掩膜层包括保护层和光刻胶； 采用干法刻蚀技术对所述第一电极层图案化，以露出所述外延结构之间的所述驱动背板；其中，所述光刻胶用于保护所述外延结构，所述保护层在干法刻蚀时熔化并沿所述外延结构的侧壁流动以覆盖所述侧壁； 去除所述掩膜层并在每个所述外延结构上分别制备第二电极层； 所述保护层位于所述外延结构和所述光刻胶之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆康佳光电科技有限公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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