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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利n p n中中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092590B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411184818.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权n p n中中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件及制备方法是由何温;刘铭;张轶;李海燕;周朋;何斌;王鑫;赵传兴设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本n p n中中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种中中双色红外光电探测器半导体器件及制备方法，涉及半导体技术，包括：S10，建立仿真模型，通过性能测试实验获取器件各层参数与器件性能关系趋势；S20，基于关系趋势，确定器件各层参数范围；S30，依次生长衬底层；第一n型层，Cd组分0.33～0.36，In掺浓度5×101414cm33～5×101616cm33，厚度4μm～9μm；p型层，Cd组分0.35～0.38，Hg空位或As掺浓度5×101616cm33～5×101818cm33，厚度2μm～5μm；第二n型层，Cd组分0.29～0.31，In掺浓度5×101414cm33～5×101616cm33，厚度2μm～5μm；器件倾斜度75°～90°。

本发明授权n p n中中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种npn中-中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件制备方法，其特征在于，包括： S10，建立npn中-中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件的仿真模型，通过性能测试实验分别获取第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层的组分、掺杂浓度、厚度和器件暗电流、电极电流、量子效率、光响应、串音的关系趋势；以及获取器件的倾斜度和器件暗电流、电极电流、量子效率、光响应、串音的关系趋势； S20，基于获取的第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层的组分、掺杂浓度、厚度以及器件倾斜度，和器件暗电流、电极电流、量子效率、光响应、串音的关系趋势，分别确定待制备的npn中-中双色碲镉汞红外光电探测器件的第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层的组分范围、掺杂浓度范围、厚度范围，以及确定待制备器件的倾斜度范围； S30，生长衬底层，并在所述衬底层上依次生长第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层；其中， 所述第一n型HgCdTe层的厚度为4μm~9μm； 第二n型HgCdTe层的厚度为2μm~5μm； p型HgCdTe层的厚度为2μm~5μm； 器件整体的倾斜度范围为75°~90°。

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