晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司张远方获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311196116.2，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由张远方;郑霈霆;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有交替设置的电极区以及非电极区；电极区的基底表面具有第一表面结构，非电极区的基底表面具有第二表面结构，第一表面结构的粗糙度小于第二表面结构的粗糙度；第二表面结构包括多个第一凸起结构；隧穿介质层覆盖第一表面结构；第一掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底的一侧；第一掺杂导电层远离隧穿介质层的一侧具有第三表面结构，第三表面结构包括多个微凸起结构，微凸起结构的尺寸小于第一凸起结构的尺寸；钝化层，钝化层位于非电极区的基底表面以及第一掺杂导电层的表面；电极，电极位于电极区，电极贯穿钝化层与第一掺杂导电层电接触。
本发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有交替设置的电极区以及非电极区；所述电极区的基底表面具有第一表面结构，所述非电极区的基底表面具有第二表面结构，所述第一表面结构的粗糙度小于所述第二表面结构的粗糙度；所述第二表面结构包括多个第一凸起结构； 隧穿介质层，所述隧穿介质层覆盖所述第一表面结构； 第一掺杂导电层，所述第一掺杂导电层位于所述隧穿介质层远离所述基底的一侧；所述第一掺杂导电层远离所述隧穿介质层的表面具有第三表面结构，所述第三表面结构包括多个微凸起结构，所述微凸起结构的尺寸小于所述第一凸起结构的尺寸；所述第三表面结构的粗糙度大于所述第一表面结构的粗糙度； 钝化层，所述钝化层位于所述非电极区的基底表面以及所述第一掺杂导电层的表面； 第一电极，所述第一电极位于所述电极区，所述第一电极贯穿所述钝化层与所述第一掺杂导电层电接触。
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