西安电子科技大学李龙获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于开缝蘑菇型AMC结构的屏蔽电磁超材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118889054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410972096.1，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于开缝蘑菇型AMC结构的屏蔽电磁超材料是由李龙;孟洪州;薛皓;何斯彤;卢诗琦;刘海霞设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于开缝蘑菇型AMC结构的屏蔽电磁超材料在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于开缝蘑菇型AMC结构的屏蔽电磁超材料，该屏蔽电磁超材料是由开缝蘑菇型AMC单元组成m×m开缝蘑菇型AMC阵列，所述开缝蘑菇型AMC单元包括从上至下依次设置的顶层贴片、中间介质层、底层贴片；顶层贴片中心通过金属通孔穿过中间介质层连接到底层贴片中心；所述顶层贴片表面开缝槽，顶层贴片设置在中间介质层正面；所述底层贴片设置在介质层反面。本发明可实现对无线电能传输系统进行磁场屏蔽和高效率传能。
本发明授权一种基于开缝蘑菇型AMC结构的屏蔽电磁超材料在权利要求书中公布了：1.一种基于开缝蘑菇型AMC结构的屏蔽电磁超材料，其特征在于，该屏蔽电磁超材料是由开缝蘑菇型AMC单元组成的m×m阵列，所述开缝蘑菇型AMC单元包括从上至下依次设置的顶层贴片、中间介质层、底层贴片； 顶层贴片中心通过金属通孔穿过中间介质层连接到底层贴片中心；所述顶层贴片具有表面开缝槽，顶层贴片设置在中间介质层正面；所述底层贴片设置在介质层反面； 设定电磁波垂直入射到顶层贴片，将所产生的电流流向底层贴片，形成等效电感L，并在所述顶层贴片的表面开缝槽形成缝隙电容C； 根据等效电路理论，若谐振频率为f，结构的表面阻抗和谐振频点分别为： 确定开缝蘑菇型AMC单元任意三个结构参数，根据开缝蘑菇型AMC结构参数与缝隙电容C和等效电感L的关系式，确定剩下的一个结构参数： 式中ε0和μ0分别为真空介电常数和真空磁导率，中间介质层的介电常数为εr，厚度为h，顶层贴片和底层贴片的贴片单元边长为Wl，方形缝隙边长sl，缝隙宽度sw，单元间距为gl。
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