买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利一种高性能铟镓砷红外探测器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410804314.0，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种高性能铟镓砷红外探测器结构是由何温;刘铭;折伟林;邢伟荣;张轶;王鑫;温涛;赵超;杨海燕设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能铟镓砷红外探测器结构在说明书摘要公布了：本申请涉及红外探测器技术领域，公开了一种高性能铟镓砷红外探测器结构，具体改进了i‑InGaAsP漂移增强层，增加了i‑InGaAsP过渡层和P‑InGaAsP过渡层，其中，i‑InGaAsP漂移增强层采用掺杂浓度缓变的形式，以保持能带缓慢过渡并连续平滑，且漂移增强层并整体器件侧面基于水平面倾斜75°～90°，以减小电场拥挤，均匀电场，减小器件暗电流；i‑InGaAsP过渡层的组分采用第一组分高斯状态缓变，形成第一高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑；P‑InGaAsP过渡层的组分采用第二组分高斯状态缓变，形成第二高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑。应用本结构一方面有较好的线性性能和较高的响度速度，另一方面有相对较小暗电流，以尽可能减小器件的暗电流，提高器件带宽、响应度等，提高器件性能并满足实际需求。

本发明授权一种高性能铟镓砷红外探测器结构在权利要求书中公布了：1.一种高性能铟镓砷红外探测器结构，其特征在于，所述铟镓砷红外探测器结构，包括衬底、N型InP收集层、i-InGaAsP漂移增强层、i-InGaAs吸收层、i-InGaAsP过渡层、P-InGaAs部分耗尽层、P-InGaAsP过渡层、P-InAlAs收集层和P-InGaAs接触层，其中， 所述i-InGaAsP漂移增强层，生长于所述N型InP收集层和所述i-InGaAs吸收层之间，其中，所述i-InGaAsP漂移增强层采用掺杂浓度缓变的形式，以保持能带缓慢过渡并连续平滑；且所述i-InGaAsP漂移增强层及整体器件侧截面呈梯形，整体器件侧面基于水平面倾斜75。～90。； 所述i-InGaAsP过渡层，生长于所述i-InGaAs吸收层和所述P-InGaAs部分耗尽层之间，其中，所述i-InGaAsP过渡层的组分，采用第一组分高斯状态缓变，形成第一高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑； 所述P-InGaAsP过渡层，生长于所述P-InGaAs部分耗尽层和所述P-InAlAs收集层之间，其中，所述P-InGaAsP过渡层的组分采用第二组分高斯状态缓变，形成第二高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十一研究所，其通讯地址为：100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。