美光科技公司A·塞巴斯蒂亚尼获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于以极性为基础的存储器单元的编程技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117795602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280052485.1，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权用于以极性为基础的存储器单元的编程技术是由A·塞巴斯蒂亚尼;I·托尔托雷利设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于以极性为基础的存储器单元的编程技术在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于以极性为基础的存储器单元的编程技术。一种方法能够包含基于接收写入命令将存储器单元写入到中间状态。写入所述中间状态能够包含将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元。所述方法能够包含基于施加所述第一脉冲将与所述存储器单元耦合的第一存取线与电压源隔离。所述方法还能够包含基于隔离所述第一存取线将第二脉冲施加到与所述存储器单元耦合的第二存取线。
本发明授权用于以极性为基础的存储器单元的编程技术在权利要求书中公布了：1.一种用于存储器操作的方法，其包括： 在存储器装置处接收将信息写入到包括硫属化物材料且经配置以存储设置状态、复位状态及中间状态的存储器单元的命令；及 至少部分基于接收到所述命令而将所述存储器装置的存储器单元写入到所述中间状态，其中将所述存储器单元写入到所述中间状态包括： 将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元，所述第一脉冲经配置以调节所述存储器单元； 将第一存取线偏压到第一电压； 至少部分基于施加具有所述第一极性的所述第一脉冲及将所述第一存取线偏压到所述第一电压而将与所述存储器单元耦合的所述第一存取线与电压源隔离；及 至少部分基于隔离与所述存储器单元耦合的所述第一存取线而将第二脉冲施加到与所述存储器单元耦合的第二存取线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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