安徽大学;中国科学技术大学苏亚辉获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学;中国科学技术大学申请的专利耐用的开放式微流控芯片、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117772304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410060231.5，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权耐用的开放式微流控芯片、制备方法及应用是由苏亚辉;郑林峰;张亚超设计研发完成，并于2024-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本耐用的开放式微流控芯片、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种开放式微流控芯片，涉及开放式微流控芯片技术领域，包括基膜，基膜采用疏水性的弹性体材料制成，基膜包括拉伸部与夹持部；沟槽，沟槽设置在拉伸部上，沟槽的侧壁以及底部设置有亲水层；夹住夹持部，将拉伸部沿单轴拉伸，烧蚀得到沟槽；释放拉伸部至松弛状态，沟槽沿拉伸方向的宽度降低，进入保护状态；沿单轴拉伸拉伸部至烧蚀时的拉伸状态，沟槽沿拉伸方向的宽度与烧蚀时的宽度相等，进入工作状态。本申请通过单轴拉伸基膜制备出的微流控芯片，可以通过简单拉伸释放，可以在工作模式和保护模式之间进行切换，不但可以满足一般的开放式微流控芯片的需求，同时也具备对开放式微流控芯片的保护功能。
本发明授权耐用的开放式微流控芯片、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种耐用的开放式微流控芯片，其特征在于，包括： 基膜1，所述基膜1采用疏水性的弹性体材料制成，所述基膜1包括拉伸部11与夹持部12； 沟槽2，所述沟槽2设置在拉伸部11上，所述沟槽2的侧壁以及底部设置有亲水层； 夹住夹持部12，将拉伸部11沿单轴拉伸，烧蚀得到沟槽2；释放拉伸部11至松弛状态，沟槽2沿拉伸方向的宽度降低，进入保护状态；沿单轴拉伸拉伸部11至烧蚀时的拉伸状态，沟槽2沿拉伸方向的宽度与烧蚀时的宽度相等，进入工作状态。
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