华为技术有限公司詹士杰获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117765991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211180470.1，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备是由詹士杰;吴颖;李骏康;许俊豪设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备，涉及半导体设计与制造技术领域，采用垂直晶体管制作环形反相器，可以减少环形反相器的占用面积，提高环形反相器的集成密度，进而在采用该种环形反相器制作锁存器，继而采用制作出的锁存器制作存储电路乃至存储器、电子设备时，可以提高锁存器、存储电路乃至存储器的集成密度，从而提高电子设备的性能。
本发明授权一种环形反相器、锁存器、存储电路、存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种环形反相器，其特征在于，包括两个晶体管组，所述两个晶体管组中的每个所述晶体管组包括两个第一垂直晶体管； 所述环形反相器还包括：沿着第一方向依次叠层设置且间隔开的第一导电层、第二导电层和第三导电层；所述第一导电层包括：所述两个第一垂直晶体管中各所述第一垂直晶体管的第一电极；所述第二导电层包括：各所述第一垂直晶体管的第二电极；所述第三导电层包括：各所述第一垂直晶体管的控制电极；所述环形反相器设于衬底之上，所述第一方向为垂直于所述衬底表面的方向； 所述环形反相器还包括：各所述第一垂直晶体管的第一沟道柱，所述第一沟道柱穿过所述第二导电层且与对应的所述第一电极和所述第二电极接触，所述第一沟道柱内设有控制极柱，该控制极柱与对应的所述控制电极接触； 每个所述晶体管组中，其中一个所述第一垂直晶体管中所述第一电极和所述第二电极中的其中一个与另一个所述第一垂直晶体管中的对应电极连接；不同所述晶体管组中所述第一电极和所述第二电极的连接方式相同； 不同所述晶体管组中，其中一个所述晶体管组中各所述第一垂直晶体管的控制电极与另一个所述晶体管组中各所述第一垂直晶体管的控制电极分别一一对应连接。
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