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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种三维存储阵列、存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117750777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211146237.1，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权一种三维存储阵列、存储器及电子设备是由景蔚亮;孙莹;黄凯亮;王正波;廖恒设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维存储阵列、存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种三维存储阵列、存储器、存储阵列的形成方法。涉及半导体存储器技术领域。用于提升存储单元的集成密度，简化制备方法。该存储器包括衬底、多个存储层，每一个存储层包括沿与衬底相垂直方向堆叠的第一金属层、第二金属层、第三金属层；第一金属层和第二金属层之间、第二金属层和第三金属层之间均被介质层电隔离开；每一个存储层中的一个存储单元包括晶体管和第一电容器和第二电容器，即就是存储单元中的晶体管、第一电容器和第二电容器被集成在堆叠的第一金属层、第二金属层、第三介质层和介质层中。该存储阵列在实现三维集成的基础上，还可以减小每一个存储单元的面积，以提升集成密度，另外，还不会给工艺提出较大的挑战。

本发明授权一种三维存储阵列、存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列，其特征在于，包括： 衬底； 形成在所述衬底上的多个存储层，所述多个存储层沿着与所述衬底相垂直的方向堆叠； 每一个所述存储层包括多个存储单元，每一个所述存储单元包括晶体管、与所述晶体管电连接的第一电容器和第二电容器； 所述晶体管包括第一极、第二极、栅极和沟道层； 所述第一电容器和第二电容器均包括第一电容电极、电容层和第二电容电极； 所述第一电容器和所述第二电容器的所述第一电容电极均与所述第一极电连接； 每一个所述存储层包括沿与所述衬底相垂直方向堆叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层和所述第二金属层之间被第一介质层电隔离开，以及所述第二金属层和所述第三金属层之间均被第二介质层电隔离开； 所述第一电容器形成在所述第一金属层中； 所述第二电容器形成在所述第二金属层中； 所述晶体管的所述第二极形成在所述第三金属层中； 所述晶体管的所述第一极至少贯穿所述第一金属层、所述第一介质层和所述第二金属层； 所述栅极的至少部分和所述沟道层的至少部分形成在所述第二介质层中，所述沟道层环绕在所述栅极的外围； 所述第一电容电极、所述电容层和所述第二电容电极沿与所述衬底相平行的方向堆叠，所述电容层环绕在所述第一电容电极的外围。

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