郑州炜盛电子科技有限公司古瑞琴获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州炜盛电子科技有限公司申请的专利二维硒基三元合金纳米薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117626194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311420625.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权二维硒基三元合金纳米薄膜及其制备方法和应用是由古瑞琴;郭海周;周勇峰;杨志博;高胜国;张小水设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维硒基三元合金纳米薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二维硒基三元合金纳米薄膜及其制备方法和应用。所述二维硒基三元合金纳米薄膜为PdxxPt1‑x1‑xSe22三元合金薄膜，其结合管式炉套管法和CVD法制备大面积均匀性和一致性良好的PdxxPt1‑x1‑xSe22三元合金纳米薄膜，该三元合金薄膜具有良好的光电转化性能、电导率和稳定性；如此，构建PdxxPt1‑x1‑xSe22三元合金与硅异质结型红外探测器，可以实现稳定性高、开关比高、制备成本低、宽波段、高灵敏红外光伏传感器，使其在光电子领域具有广阔的应用前景。
本发明授权二维硒基三元合金纳米薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种二维硒基三元合金纳米薄膜，其特征在于，为PdxPt1-xSe2三元合金纳米薄膜，结合管式炉套管法和CVD法制备；其中，所述PdxPt1-xSe2三元合金中的0.5≤x≤0.8，所述PdxPt1-xSe2三元合金纳米薄膜的厚度为20-30nm。
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