环球晶圆股份有限公司王刚获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117480590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280041717.3，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法是由王刚设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法在说明书摘要公布了：公开用于蚀刻半导体结构及用于调节其中处理单个半导体结构的处理反应器的方法。工程多晶硅表面层沉积于支撑所述半导体结构的基座上。所述多晶硅表面层可通过控制沉积所述层的温度、通过对所述多晶硅表面层开槽或通过控制所述多晶硅表面层的厚度来工程设计。
本发明授权用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于在处理反应器中蚀刻半导体结构的方法，所述处理反应器包括基座，所述基座支撑所述基座的凹槽内的半导体结构，所述方法包括： 在低于1150℃的温度下将第一多晶硅表面层沉积于所述基座上； 将第一半导体结构装载到其上安置有所述第一多晶硅表面层的所述基座上，所述第一半导体结构安置于所述凹槽内； 使所述第一半导体结构与蚀刻剂接触以蚀刻所述半导体结构，被蚀刻的所述第一半导体结构是在所述第一多晶硅表面层沉积于所述基座上之后被装载到所述基座上的所述第一半导体结构； 在蚀刻所述第一半导体结构之后从所述基座移除所述第一半导体结构； 使所述基座与剥离蚀刻剂接触以从所述基座剥离所述第一多晶硅表面层； 在低于1150℃的温度下将第二多晶硅表面层沉积于所述基座上； 将第二半导体结构装载到其上安置有所述第二多晶硅表面层的所述基座上，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构是连续装载到所述基座上的半导体结构；及 使所述第二半导体结构与所述蚀刻剂接触以蚀刻所述第二半导体结构。
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