中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所陈佳旭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所申请的专利一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117467938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311568372.X，技术领域涉及：C23C14/10；该发明授权一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法是由陈佳旭;冯梁森;李维设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法，属于硅基光子器件制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有技术存在的大厚度和高质量、高性能膜层无法兼顾的问题，提供一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法；该方法通过干湿氧化过程与高温退火结合，在重整干湿干工艺的同时对部分干氧和退火过程进行设计，可以在保持生长速率的同时提高大厚度二氧化硅膜层的质量、对光的束缚性。
本发明授权一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一、将清洗后的单晶硅片作为基片； 步骤二、在氮气氛围中升至反应温度A，通入氧气，开始干氧生长第一层二氧化硅层；升高至反应温度B，在氮气氛围中加氧退火； 步骤二所述干氧生长第一层二氧化硅层的厚度通过下述方法得到： x1为膜层厚度，t1为生长时间，τ1为常数； 步骤三、降低至反应温度C，通入水汽参与反应，湿氧生长第一层二氧化硅层；继续升温至反应温度B，通入氮气，在氮气气氛中退火； 步骤三所述湿氧生长第一层二氧化硅层的厚度通过下述方法得到： x2为膜层厚度，t2为生长时间，τ2为常数； 步骤四、降温至反应温度A，通入氧气，并加入含氯元素的化合物，干氧生长第二层二氧化硅层； 步骤五、温度由反应温度A变至反应温度C，通入氧气和水汽，湿氧生长第二层二氧化硅层；升温至反应温度B，在氮气氛围中加氧退火； 步骤六、重复步骤四、步骤五和步骤四，即完成生干氧长第三层二氧化硅层、湿氧生长第三层二氧化硅层和干氧长第四层二氧化硅层的制备； 步骤七、退火、清洗；得到高质量大厚度的二氧化硅膜层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所，其通讯地址为：100095 北京市海淀区温泉镇环山村；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励