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龙图腾网获悉厦门光莆电子股份有限公司申请的专利一种基于高分子薄膜的金属结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117248202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311255471.2，技术领域涉及：C23C18/14；该发明授权一种基于高分子薄膜的金属结构及其制作方法是由余建贤;骆洋洋;林海涵;林瑞梅设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于高分子薄膜的金属结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于高分子薄膜的金属结构及其制作方法，该金属结构包括由高分子材料构成的薄膜基材、以及形成在所述薄膜基材上的第一金属层和第二金属层；所述薄膜基材的表面配置成具有一定的粗糙度并经过活化处理的面结构，所述第一金属层粘附在所述薄膜基材的表面并构造为具有纳米结构，所述第二金属层完全覆盖在所述第一金属层上、和或在所述第一金属层上构造为具有图案化结构；从而，能够取代新能源负极的铜箔集流体，其金属结构的高分子密度远低于铜，减少负电极的铜的使用量，可显著提高单位重量的电池容量，并且各金属层的图案化处理采用飞秒激光或UV脉冲光进行曝光显影，可明显的简化制程，同时避免了蚀刻药液对金属的损伤。

本发明授权一种基于高分子薄膜的金属结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高分子薄膜的金属结构，其特征在于，包括由高分子材料构成的薄膜基材、以及形成在所述薄膜基材上的第一金属层和第二金属层；所述薄膜基材的表面配置成具有一定的粗糙度并经过活化处理的面结构，所述第一金属层粘附在所述薄膜基材的表面并构造为具有纳米结构，所述第二金属层完全覆盖在所述第一金属层上、和或在所述第一金属层上构造为具有图案化结构；其中，所述基于高分子薄膜的金属结构采用如下步骤制备： S1：提供具有低活性钝化表面的薄膜基材，对所述薄膜基材的至少一侧表面进行粗糙化处理，得到具有粗糙表面的薄膜基材； S2：采用等离子气体对所述薄膜基材进行表面活化处理，得到具有表面活化的面结构的薄膜基材；其中，所述等离子气体采用ArO2，使得所述薄膜基材的表面形成羟基或羧基，且通过耦合剂与表面活化的薄膜基材表面的羟基或羧基反应；其中，所述耦合剂的浓度为3-10vol％，浸泡时间为10-60min，浸泡温度为20-35℃，浸泡后于60-100℃的温度下烘烤30-90min，并浸泡在所述第一金属层所含有的金属离子的化合物，浸泡时间为1-60s，浸泡温度为20-35℃，得到表面络合有金属离子的薄膜基材； S3：将所述薄膜基材浸泡在耦合剂溶液中，清洗后再浸泡在具有金属离子的化合物或者络合物溶液中，得到表面络合有金属离子的薄膜基材； S4：通常光照、飞秒激光或UV脉冲光方式的还原处理，对表面络合有金属离子的薄膜基材进行还原，得到表面具有纳米结构的第一金属层的薄膜基材；其中，采用光敏还原剂结合飞秒激光或UV脉冲光进行曝光显影对表面络合有金属离子的薄膜基材进行选择性还原，得到图案化结构的第一金属层，并在所述第一金属层化学镀与图案化结构具有相同图案的第二金属层；其中，所述光敏还原剂为聚乙烯吡咯烷酮；以及，所述飞秒激光的波长范围为133nm-400nm，脉冲时间为1-10ns，频率范围为1-100Hz，光通量为0.1-1mJcm2；以及，用于曝光显影的UV脉冲光的脉冲时间为10-100us，频率范围为1-100Hz，光通量为200mJcm2-18Jcm2；S5：将表面具有第一金属层的薄膜基材放置于化学镀液中进行化学镀，在所述第一金属层上方形成第二金属层以构成整个金属结构，获得表面为金属结构的薄膜基材。

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