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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种低功耗硅基MEMS气体传感器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117214248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310984878.2，技术领域涉及：G01N27/18；该发明授权一种低功耗硅基MEMS气体传感器芯片及其制备方法是由高峰;卢乐;刘刚;郭丰碑;曹腾波;董树荣设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗硅基MEMS气体传感器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗硅基MEMS气体传感器芯片及其制备方法。本发明利用对针加热电极设计，使加热电阻集中于对针顶点连接区域，该中心区域尺寸极小，通常只有几十到几百纳米，能够在极低的功耗下产生足够的热量激发气敏材料的敏感特性。该结构相比传统蛇状盘绕加热电极不仅功耗更低，其极小的工作区、渐变的宽度以及环形支撑结构也能保证在发热过程中电极的形变量更小，有利于整体结构的稳定性。隔断对针形设计的检测电极制备更加简单，良率也能得到很大提升。同时，利用这种新型加热电极和传感电极的结构特点可以极大的缩小传感器的整体体积，使得其具有更高的可集成度和更广泛的应用场景。

本发明授权一种低功耗硅基MEMS气体传感器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗MEMS气体传感器芯片，其特征在于，包括： 衬底， 第一氧化层，设于所述衬底表面，作为介电层和支撑层， 第一黏附层，设于所述第一氧化层表面， 加热电极层，设于所述第一黏附层表面，包括加热电极和相应的焊盘，所述加热电极包括成对针型结构设计的两个，两个加热电极的针尖接触，第二黏附层，设于所述加热电极表面以及加热电极图形未覆盖住的第一黏附层表面，加热电极的中心工作区域是指两个加热电极针尖触碰位置所在的区域， 第二氧化层，设于所述第二黏附层表面，作为介电层和支撑层， 第三黏附层，设于所述第二氧化层表面， 测量电极层，设于所述第三黏附层表面，包括测量电极和相应的焊盘，所述测量电极包括成对针型结构设计的两个，两个测量电极的对针型结构的针尖之间的间距为10nm-1μm，测量电极的中心工作区域是指两个测量电极针尖位置所在的区域，加热电极相应的焊盘与测量电极相应的焊盘相互不重叠， 气敏材料层，填充覆盖测量电极的中心工作区域内测量电极之间未被所述测量电极层覆盖的第三黏附层。

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