中国科学院半导体研究所程传同获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利钙钛矿闪烁体材料及其间接型X射线探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116948629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310854906.9，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权钙钛矿闪烁体材料及其间接型X射线探测器的制备方法是由程传同;关硕;黄丽婷;黄北举;陈弘达设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本钙钛矿闪烁体材料及其间接型X射线探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，该方法包括：S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层；S12，在底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，复合结构层至少为两层；复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；其中，自下而上从底层钙钛矿纳米晶层至顶层钙钛矿纳米晶层，钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。本公开另一方面提供了一种利用钙钛矿闪烁体材料制备间接型X射线探测器的方法。本公开通过引入钙钛矿纳米晶带隙梯度变化的多层薄膜解决自吸收问题，采用聚合物薄膜增加钙钛矿闪烁体材料稳定性，并采用高响应度光探测器配合钙钛矿闪烁体部分。
本发明授权钙钛矿闪烁体材料及其间接型X射线探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，其特征在于，包括： S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层； S12，在所述底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，所述钙钛矿纳米晶层和所述聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，所述复合结构层至少为两层；所述复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；所述聚合物薄膜层采用真空气相沉积工艺制备，由活性小分子在钙钛矿纳米晶表面生长出聚合物薄膜涂层； 其中，自下而上从所述底层钙钛矿纳米晶层至所述顶层钙钛矿纳米晶层，所述钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。
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