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北京航空航天大学马丹跃获国家专利权

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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利基于坡莫合金-铁氧体-超导线圈的低磁噪声和高屏蔽性能的磁屏蔽装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116867255B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311008212.X,技术领域涉及:H05K9/00;该发明授权基于坡莫合金-铁氧体-超导线圈的低磁噪声和高屏蔽性能的磁屏蔽装置是由马丹跃;高亚楠;陆吉玺;王坤;窦瑶;薛杨枝;全伟设计研发完成,并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

基于坡莫合金-铁氧体-超导线圈的低磁噪声和高屏蔽性能的磁屏蔽装置在说明书摘要公布了:基于坡莫合金‑铁氧体‑超导线圈的低磁噪声和高屏蔽性能的磁屏蔽装置,可为超高灵敏的SERF磁场和惯性测量装置提供稳定的极低磁噪声的弱磁环境,主要由坡莫合金磁屏蔽、铁氧体磁屏蔽、超导线圈磁屏蔽支撑、非金属杜瓦、超导线圈绕线盘、可调节螺柱等部件组成,铁氧体磁屏蔽放在坡莫合金磁屏蔽腔内,超导线圈磁屏蔽支撑放在铁氧体腔内,非金属杜瓦放在超导线圈磁屏蔽支撑上,超导线圈绕线盘放在非金属杜瓦腔内,通过将超导线圈主动磁屏蔽与传统的坡莫合金‑铁氧体被动磁屏蔽相结合,克服了传统磁屏蔽材料磁噪声难以进一步降低的问题,进一步降低了装置的磁噪声,该装置可以极大的提高由于磁屏蔽自身产生的磁噪声限制的SERF磁场和惯性测量装置灵敏度。

本发明授权基于坡莫合金-铁氧体-超导线圈的低磁噪声和高屏蔽性能的磁屏蔽装置在权利要求书中公布了:1.基于坡莫合金-铁氧体-超导线圈的低磁噪声和高屏蔽性能的磁屏蔽装置,其特征在于,包括通过铁氧体桶身、铁氧体下盖和铁氧体上盖形成铁氧体磁屏蔽的第一中心腔,所述铁氧体磁屏蔽位于坡莫合金磁屏蔽内,所述坡莫合金磁屏蔽通过坡莫合金桶身、坡莫合金下盖和坡莫合金上盖形成,所述第一中心腔内设置有超导线圈磁屏蔽支撑,所述超导线圈磁屏蔽支撑包括下圆盘、支撑圆柱以及上圆盘,下圆盘位于第一中心腔底部,上圆盘向上延伸有圆柱形壁,形成第二中心腔,所述上圆盘上圆柱形壁外周环设有非金属杜瓦,所述非金属杜瓦包括通过可调节螺柱上下连接的两个结构相同的环形圆饼,上部环形圆饼中内置超导线圈绕线盘的上环形圆盘,下部环形圆饼中内置超导线圈绕线盘的下环形圆盘,所述第二中心腔具有连通磁屏蔽装置外部的左右通孔、前后通孔和上下通孔; 所述坡莫合金磁屏蔽为多层结构,每层之间有垫块,控制层与层之间的间隙; 所述铁氧体磁屏蔽与坡莫合金磁屏蔽最内层间有垫块,保证铁氧体位于坡莫合金磁屏蔽最内层中心; 所述非金属杜瓦的材料为乙烯-乙酸乙烯共聚物,每个环形圆饼的环形盖子上留有排气口,用于及时排出汽化的液氮。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学,其通讯地址为:100191 北京市海淀区学院路37号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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