吉林大学乔振安获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种界面组装氧化硅基中空片层结构材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116812938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310800145.9，技术领域涉及：C01B33/12；该发明授权一种界面组装氧化硅基中空片层结构材料的制备方法是由乔振安;董阳波设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种界面组装氧化硅基中空片层结构材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明适用于纳米材料合成技术领域，提供了一种界面组装氧化硅基中空片层结构材料的制备方法，包括以下步骤：将硫酸盐水溶液和醇分散在溶有两亲性聚合物的有机溶剂中，形成稳定的油水界面；再加入氨源在油水界面生成硫酸铵盐模板并催化后续加入的硅源水解缩合包覆在硫酸铵晶体表面；最后通过离心水洗醇洗去除水溶性盐模板和小颗粒杂质，得到所述具有中空片层结构的氧化硅纳米材料。本发明提供的制备方法简便经济，可重复性好，本发明制得的氧化硅具有定义良好的中空片层结构，有望应用于生物医学领域。
本发明授权一种界面组装氧化硅基中空片层结构材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种界面组装氧化硅基中空片层结构材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1将两亲性聚合物与有机溶剂中混合，得到澄清透明的溶液； 步骤2将硫酸盐水溶液和醇加入步骤1的混合溶液中，得到稳定的油水体系； 步骤3将氨源加入步骤2的混合溶液中，生成硫酸铵晶体； 步骤4将硅源加入步骤3的混合溶液中，混匀后恒温静置反应，硅源水解缩合后形成的氧化硅壳层包覆在硫酸铵晶体的表面； 步骤5收集步骤4的最终产物，通过离心、水洗、醇洗和干燥后，即获得目标产物氧化硅中空片层结构材料。
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