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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方显示科技有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116794894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310762785.5，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板是由王尖;唐辉;陈照宇;宋子科;荣孟欣;李梁梁设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括：衬底；位于衬底一侧的若干条数据线，数据线的材料为透明导电材料；位于衬底一侧的若干像素电极层，像素电极层与数据线相互间隔，像素电极层具有相对设置的两个第一边缘，第一边缘在衬底上的正投影位于数据线在衬底上的正投影内，且两个第一边缘之间的间距大于相邻数据线之间的间距。由于数据线的材料为透明导电材料，因此显示面板中背光模组发出的光能够透过像素电极层中与数据线相对应的区域，这有效增大了像素点的发光面积，从而有效增大了像素开口率，有效提高了显示面板的显示效果。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的相互平行的若干条数据线，所述数据线的材料为透明导电材料； 位于所述衬底一侧的相互间隔的若干像素电极层，所述像素电极层与所述数据线相互间隔，所述像素电极层具有相对设置的两个第一边缘，所述第一边缘在所述衬底上的正投影位于所述数据线在所述衬底上的正投影内，且两个所述第一边缘之间的间距大于相邻所述数据线之间的间距； 位于所述衬底一侧的若干TFT开关件，所述TFT开关件包括位于所述衬底一侧的有源层、源极和漏极，所述源极和所述漏极相互间隔且分别与所述有源层连接，所述有源层的材料为透明半导体材料，所述源极和所述漏极的材料为透明导电材料； 所述有源层、所述源极、所述漏极与所述数据线同层设置，所述透明导电材料为经过导体化处理的所述透明半导体材料； 整面覆盖所述衬底的栅极绝缘层，所述数据线位于所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧表面； 整面覆盖所述衬底的钝化层，所述数据线位于所述栅极绝缘层与所述钝化层之间；所述钝化层具有若干第一通孔，第一通孔与若干TFT开关件的漏极对应设置，所述第一通孔暴露出所述漏极的部分表面；所述像素电极层位于所述钝化层背离所述衬底的一侧表面，且所述像素电极层延伸到所述第一通孔中以与所述漏极电学连接。

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