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龙图腾网获悉上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请的专利一种去除晶圆盒湿度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116772520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310723527.6，技术领域涉及：F26B5/04；该发明授权一种去除晶圆盒湿度的方法是由柏友荣;黄燕秋;陈猛;刘浦锋设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种去除晶圆盒湿度的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体晶片制造领域，公开了一种去除晶圆盒湿度的方法，主要利用真空干燥原理，在用真空系统抽真空的同时，对被干燥晶圆盒适当不断加热，使晶圆盒内部的水分通过压力差或浓度差扩散到表面，水分子在晶圆盒表面获得足够的动能，在克服分子间的吸引力后，逃逸到真空室的低压空气中，从而被真空泵抽走除去。这样在不消耗大量气体的基础上就可以快速干净的去除晶圆盒表面的水汽。

本发明授权一种去除晶圆盒湿度的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除晶圆盒湿度的方法，其特征在于：包括如下步骤： S1:将晶圆盒包装去除干净，放置在待清洗位置； S2:将晶圆盒打开，然后使用温度在40-60℃、流量在5-10Lmin的超纯水冲洗1-4min，同时持续给予600-1000pa的排风； S3:使用温度在60-90°C、流量在2500-3500Lmin的洁净CDA干燥晶圆盒8-15min，同时持续给予600-1000pa的排风； S4:将晶圆盒放入真空腔内，关闭真空腔室门； S5:启动真空系统，对真空腔抽气，使得真空腔内部从一个标准大气压降到500-1500pa，同时使用真空腔内的加热装置持续加热腔内空气，使真空腔内的空气温度保持在90-120°C；加热装置为陶瓷片式加热器，加热时间为2-4min； S6:真空抽气加热阶段结束后向真空腔体内缓慢注入洁净氮气，使真空腔内恢复到一个标准大气压，然后取出晶圆盒并组装完整； 经上述步骤处理后的晶圆盒，放置3h后内部湿度小于32%，装载干净硅片包装好运输24h后，硅片表面大于37nm的颗粒增加值小于3，硅片表面金属水平小于0.5E9atomscm2，产品表面Haze变化值小于0.005ppm，可以满足半导体衬底硅片先进制程用。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司，其通讯地址为：201616 上海市松江区鼎松路150弄1-15号, 邮编201616；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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