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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利VF-TLP测试下SCR器件模型切换开关控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211332691.6，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权VF-TLP测试下SCR器件模型切换开关控制方法是由刘继芝;王德康;刘志伟设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本VF-TLP测试下SCR器件模型切换开关控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种VF‑TLP测试下SCR器件模型的切换开关控制方法。采用所述SCR器件模型的切换开关控制方法可以使SCR器件模型在不同的VF‑TLP快速传输线脉冲电压下能够检测出SCR器件的电压过冲点的时间和数值，使模型能够准确模拟出SCR器件过冲特性。

本发明授权VF-TLP测试下SCR器件模型切换开关控制方法在权利要求书中公布了：1.一种VF-TLP测试下SCR器件模型的切换开关控制方法，用于ESD防护的SCR器件，其特征在于，包括P型硅衬底；所述衬底上形成两个阱区，一个N型阱区和一个P型阱区，且所述两个阱区相邻；所述N型阱区内设有一个与A1端相连的N型重掺杂区，设有一个与A2端相连的P型重掺杂区；所述P型阱区内设有一个与K1端相连的N型重掺杂区，设有一个与K2端相连的P型重掺杂区；所述A1端和A2端与阳极相连，所述K1端和K2端与阴极相连； 所述VF-TLP测试下SCR器件模型的切换开关，包含一个电阻值大的电阻、一个电阻值小的电阻、一个电感和一个单刀双掷开关，所述电阻值大的电阻一端和所述SCR器件模型的阳极相连，另一端和所述单刀双掷开关的一个动端相连；所述电阻值小的电阻一端和所述SCR器件模型的阳极相连，另一端和所述单刀双掷开关的另一个动端相连；所述电感一端和所述SCR器件模型的阴极相连，另一端和所述单刀双掷开关的不动端相连； 所述VF-TLP测试下SCR器件模型的切换开关控制方法，所述电阻值大的电阻表示SCR器件未开启前的高阻状态；所述电阻值小的电阻表示SCR器件开启后的低阻状态；所述电感用于实现从高阻状态到低阻状态的缓慢变化；所述单刀双掷开关控制所述高阻状态向低阻状态的切换条件； 所述VF-TLP测试下SCR器件的A1端电流，在器件达到过冲点之前会经历4个阶段，由时间顺序分别为：第一个阶段为所述N型阱区与P型阱区构成阱PN结势垒电容充放电；第二个阶段为所述N型阱区与P型阱区构成阱PN结的结击穿；第三个阶段为N阱中P型重掺杂区、N阱、P阱和P阱中P型重掺杂区构成寄生PNP三极管开启；第四个阶段为所述P阱中N型重掺杂区、P阱、N阱、N阱中N型重掺杂区构成寄生NPN三极管开启,且所述SCR器件开启，将第三个阶段和第四个阶段的转换点的电流作为开关切换的阈值电流； 当所述用于ESD防护的SCR器件的N型阱区的N型重掺杂区电流小于等于阈值电流时，所述VF-TLP测试下SCR器件模型切换开关电流流过电阻值大的电阻路径；当所述用于ESD防护的SCR器件的N型阱区的N型重掺杂区电流大于阈值电流时，所述VF-TLP测试下SCR器件模型切换开关电流流过电阻值小的电阻路径。

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