北京京仪自动化装备技术股份有限公司宁腾飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京仪自动化装备技术股份有限公司申请的专利用于半导体废气处理设备的反应腔和反应腔的监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116510474B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211143523.2，技术领域涉及：B01D53/30；该发明授权用于半导体废气处理设备的反应腔和反应腔的监测方法是由宁腾飞设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体废气处理设备的反应腔和反应腔的监测方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种用于半导体废气处理设备的反应腔和反应腔的监测方法，用于半导体废气处理设备的反应腔包括：反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于反应腔本体内；薄膜压力传感器，覆盖反应腔本体的壁面，薄膜压力传感器用于监测反应腔本体内部的气压变化；控制模块，与薄膜压力传感器电性连接，控制模块根据薄膜压力传感器传达的监测信号实时获取反应腔本体内部的气压变化。本申请反应腔的腐蚀泄漏高发区为无溢流水覆盖区，其腐蚀后内部负压环境造成薄膜压力传感器受力，控制模块根据薄膜压力传感器的阈值判断进行报警停机。本申请通过简单的装置，有效监测反应腔腐蚀，避免半导体制程可能产生的泄漏危机，保护操作者的人身安全。
本发明授权用于半导体废气处理设备的反应腔和反应腔的监测方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，包括： 反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于所述反应腔本体内； 薄膜压力传感器，覆盖所述反应腔本体的外壁面，所述薄膜压力传感器用于监测所述反应腔本体内部的气压变化； 控制模块，与所述薄膜压力传感器电性连接，所述控制模块根据所述薄膜压力传感器传达的监测信号实时获取所述反应腔本体内部的气压变化； 所述薄膜压力传感器包括： 一维单点压力传感器，所述一维单点压力传感器用于检测沿反应腔本体单点上径向的气压变化； 二维单点压力传感器，所述二维单点压力传感器用于检测沿反应腔本体单点上径向和轴向的气压变化； 三维多点压力传感器，所述三维多点压力传感器用于检测沿反应腔本体单点上径向、轴向和周向的气压变化；和或 三维多点压力传感器，所述三维多点压力传感器用于检测沿反应腔本体多点上径向、轴向和周向的气压变化。
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