浙江大学李慎重获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种在高L-Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116334753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310291611.5，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种在高L-Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法是由李慎重;马向阳;杨德仁设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在高L-Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在高L‑Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，属于硅外延片生长技术领域。所述方法包括：1将高L‑Pits硅单晶衬底置于外延炉中，升温至1200～1250℃，通入HCl气体去除硅单晶衬底近表面L‑Pits聚集物；2降温至800～1100℃，继续通入HCl气体清洁硅单晶衬底表面，得到预处理衬底；3调节温度至外延生长工艺温度生长外延层，制得低密度缺陷外延片。本发明通过对高L‑Pits硅单晶衬底表面进行高低温预处理，实现硅衬底表面L‑Pits缺陷减少或消除。利用本发明制备方法获得的硅外延片具有低密度的表面微缺陷，表面颗粒极少分布，达到硅外延片质量提升的目的。
本发明授权一种在高L-Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法在权利要求书中公布了：1.一种在高L-Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将高L-Pits硅单晶衬底置于外延炉中，升温至1200～1250℃，通入HCl气体去除硅单晶衬底近表面L-Pits聚集物； 2降温至800～1100℃，降温速率为15～50℃s，继续通入HCl气体清洁硅单晶衬底表面，得到预处理衬底； 3调节温度至外延生长工艺温度，在预处理衬底上生长外延层，制得低密度缺陷外延片； 步骤1和步骤2中，HCl气体流量为0.5～1slm，处理时间为30～60s。
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