中微半导体设备(上海)股份有限公司张海龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利腔室测温装置及化学气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116334599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111589387.5，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权腔室测温装置及化学气相沉积设备是由张海龙;姜勇;闫韬;陈恩毅设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本腔室测温装置及化学气相沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种腔室测温装置及化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备的腔壁可以透过红外辐射，所述腔室测温装置安装在所述腔壁的外侧，包括：光学测温计，其通过所述红外辐射测量所述化学气相沉积设备内待测物体的温度；连接件，其具有相对的第一端和第二端，所述光学测温计安装在所述第一端，所述第二端连接所述腔壁，所述连接件内部设有贯穿所述第一端和所述第二端的光路通道，通过在所述光路通道中通入吹扫气体冷却与所述第二端连接处的腔壁。本发明可以在不影响腔壁的机械强度的前提下，提高测温的准确性。
本发明授权腔室测温装置及化学气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积设备，包括反应腔和位于反应腔中的基座，所述基座用于承载基片，其特征在于，所述反应腔的腔壁至少包含部分区域可以透过红外辐射，所述腔壁的外侧安装有腔室测温装置，所述腔室测温装置包括： 光学测温计，其通过所述红外辐射测量所述反应腔内待测物体的温度； 连接件，其具有相对的第一端和第二端，所述光学测温计安装在所述第一端，所述第二端连接所述腔壁的外侧，且与所述第二端连接处的所述腔壁是完整的，所述连接件内部设有贯穿所述第一端和所述第二端的光路通道，所述待测物体的红外辐射透过与所述第二端连接处的腔壁后再经由所述光路通道传输至所述光学测温计，通过在所述光路通道中通入吹扫气体冷却与所述第二端连接处的腔壁，所述光路通道内充满吹扫气体，形成与大气隔离的密闭空间。
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