中微半导体设备(上海)股份有限公司龚岳俊获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116334583B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111581323.0，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法是由龚岳俊;姜勇设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法，用于化学气相沉积设备，所述加热装置包括：加热器底座，所加热器底座上可用于承载一待处理基片。固定边环，其套设在加热器底座上，一缓冲腔和一间隙位于固定边环与加热器底座之间。间隙包括水平间隙和倾斜间隙，水平间隙的一端与缓冲腔连通，另一端与倾斜间隙连通，倾斜间隙的一端开口朝向基片边缘。若干个中空的气塞，其环绕加热器底座边缘周向间隔设置在加热器底座内。每一气塞中设有通孔用于向缓冲腔中通气。本发明能够提高对基片边缘吹扫均匀性。
本发明授权加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法在权利要求书中公布了：1.一种加热装置，用于化学气相沉积设备，其特征在于，包括： 加热器底座，所述加热器底座上可用于承载一待处理基片； 固定边环，其套设在所述加热器底座上，一缓冲腔和一间隙位于所述固定边环与所述加热器底座之间； 所述间隙包括水平间隙和倾斜间隙，所述水平间隙的一端与所述缓冲腔连通，另一端与所述倾斜间隙连通，所述倾斜间隙的一端开口朝向所述基片边缘； 所述加热器底座的边缘上设有沿其径向向内延伸的若干层台阶； 所述固定边环位于若干层所述台阶上，若干层所述台阶中靠近所述加热器底座底面的第一台阶的表面与所述固定边环的内表面形成所述缓冲腔； 其他所述台阶的表面与所述固定边环的内表面之间构成所述间隙； 若干个中空的气塞，其环绕所述加热器底座边缘周向间隔设置在所述加热器底座内； 每一所述气塞中设有通孔用于向所述缓冲腔中通气。
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