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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310369444.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件的形成方法是由黄友杰;叶长福;上官明沁;陈旋旋设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件的形成方法，包括：形成牺牲层，设置在衬底上；进行第一蚀刻工艺，移除部分牺牲层，形成多个第一凹槽；形成第一介质层；进行第二蚀刻工艺，移除多个第一凹槽外的所述第一介质层，形成第一隔离结构，所述第一隔离结构中存在缝隙；进行第三蚀刻工艺，刻蚀所述多个第一隔离结构，以去除所述多个第一隔离结构顶端的部分介质材料，暴露所述缝隙；形成第二介质层，覆盖所述多个第一隔离结构和所述牺牲层，所述第二介质层填充各个所述缝隙的至少部分空间；进行第四蚀刻工艺，移除所述第二介质层的顶部，直至暴露所述牺牲层，形成第二隔离结构。本申请能够使隔离结构中的缝隙得到消除或者有效减小，具有更稳定的性能。

本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底； 形成牺牲层，设置在所述衬底上； 进行第一蚀刻工艺，移除部分所述牺牲层，形成多个第一凹槽； 形成第一介质层，覆盖所述牺牲层并填充所述多个第一凹槽； 进行第二蚀刻工艺，移除所述多个第一凹槽外的所述第一介质层，形成第一隔离结构，所述第一隔离结构中存在缝隙； 进行第三蚀刻工艺，刻蚀所述多个第一隔离结构，以去除所述多个第一隔离结构顶端的部分介质材料，暴露所述缝隙；所述第三蚀刻工艺包括：形成多个凹陷于所述第一隔离结构中，所述多个凹陷包括上凹陷和下凹陷，其中所述下凹陷形成于所述缝隙之间，所述上凹陷形成于所述第一隔离结构顶部； 形成第二介质层，覆盖所述多个第一隔离结构和所述牺牲层，所述第二介质层填充各个所述缝隙的至少部分空间； 进行第四蚀刻工艺，移除所述第二介质层的顶部，直至暴露所述牺牲层，形成第二隔离结构； 在形成所述第二介质层之前，所述形成方法还包括：形成保形覆盖所述凹陷的第一氧化层，以使所述凹陷位于所述第一氧化层之间。

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