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龙图腾网获悉武汉联特科技股份有限公司申请的专利一种光器件快速耦合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310139963.9，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种光器件快速耦合方法是由曹双;李林科;吴天书;杨现文;张健设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光器件快速耦合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光器件快速耦合方法，基于TOSA器件，包括以下步骤：Sa1：确定初始耦合基准点在二维平面上的坐标位置；Sa2：z轴单轴直线耦合；Sa3：光功率判定；Sa4：点胶；Sa5：定功率；Sa6：精耦合；Sa7：固化。基于ROSA器件，包括以下步骤：Sb1：确定初始耦合基准点在二维平面上的坐标位置；Sb2：z轴单轴旋转耦合；Sb3：响应度判定；Sb4：精耦合；Sb5：偏容差判定；Sb6：点胶；Sb7：再度精耦合；Sb8：固化。本发明耦合方法中增加了视觉系统，通过计算并确定初始耦合基准点，为后续各TOSA器件或各ROSA器件的自动设定提供二维坐标基准点，再采用单轴直线耦合或单轴旋转耦合即可精准定位至确切的耦合位置，大大提高了耦合效率。

本发明授权一种光器件快速耦合方法在权利要求书中公布了：1.一种光器件快速耦合方法，基于TOSA器件，其特征在于，包括以下步骤： Sa1：确定初始耦合基准点在二维平面上的坐标位置； Sa2：z轴单轴直线耦合； Sa3：光功率判定； Sa4：点胶； Sa5：定功率； Sa6：精耦合； Sa7：固化； 所述步骤Sa1进一步包括： Sa11：随机挑选并上料首个TOSA器件； Sa12：确定耦合位置基准点P0x0，y0； Sa13：按照步骤Sa4-Sa7逐一进行，完成首个所述TOSA器件的耦合作业； 所述步骤Sa1进一步还包括： Sa14：持续上料第二个所述TOSA器件； Sa15：识别第二个所述TOSA器件的发光芯片位置P5x5，y5，z5，识别第二个所述TOSA器件的透镜位置P6x6，y6，z6； Sa16：根据以下公式：初始耦合基准点P'0=耦合位置基准点P0-当前所述发光芯片位置P5与首个所述发光芯片位置P2在x轴、y轴上的偏差值-当前所述透镜位置P6与首个所述透镜位置P3在x轴、y轴上的偏差值，计算得出初始耦合基准点在二维平面上的坐标位置P'0x'0，y'0； 所述步骤Sa2进一步包括： Sa21：将第二个所述TOSA器件的透镜自动移动至初始耦合基准点P'0x'0，y'0； Sa22：沿z轴进行单轴直线耦合，直至到达光功率的最大值停止耦合，识别当前所述TOSA器件的位置P7x7，y7，z7。

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