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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111510591.3，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管是由何增谊;顾建平;乐双申;张立波;吴兴敏;袁晴雯设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管，采用第一氧化硅层和掩蔽膜等多层膜结构作为沟槽掩蔽膜，在进行栅氧化过程中，采用硅局部氧化工艺，在氧化硅层和氮化硅层之间产生了一段厚氧化硅层，在后续多层掩蔽膜和第一氧化硅层刻蚀过程，由于该厚氧化硅层存在，有效补偿了多层膜刻蚀过程中栅氧化层的丢失，消除了沟槽结构缺陷，解决了反向漏电问题，提高了晶圆产品的良率。

本发明授权一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种沟槽式肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在第一掺杂浓度的衬底上形成第二掺杂浓度的外延层； 在外延层远离衬底的表面上形成第一氧化硅层； 在第一氧化硅层远离外延层的表面上形成掩蔽层； 对第一氧化硅层和掩蔽层进行刻蚀以形成多个沟槽刻蚀窗口，在外延层上与沟槽刻蚀窗口对应位置进行刻蚀以形式多个沟槽； 在沟槽底部和侧壁形成第二氧化硅层； 在第一氧化硅层和掩蔽层之间形成一段第三氧化硅层，所述第三氧化硅层位于靠近多个沟槽顶端外侧； 在多个沟槽内形成多晶硅，并在多晶硅表面及掩蔽层表面形成第四氧化硅层； 刻蚀去除第四氧化硅层、掩蔽层和第一氧化硅层； 在外延层远离衬底的表面上形成第一金属层形成肖特基结； 在第一金属层表面上形成第二金属层； 所述掩蔽层包括氮化硅层和第五氧化硅层； 所述在外延层远离衬底的表面上形成掩蔽层，包括： 在外延层远离衬底的表面上依次从下到上形成氮化硅层和第五氧化硅层； 所述在第一氧化硅层和掩蔽层之间形成一段第三氧化硅层，所述第三氧化硅层位于靠近多个沟槽顶端外侧，包括： 采用硅局部氧化工艺，在第一氧化硅层和掩蔽层之间形成一段第三氧化硅层，所述第三氧化硅层位于靠近多个沟槽顶端外侧； 所述第三氧化硅层从靠近多个沟槽顶端一侧向远离沟槽顶端一侧由厚逐渐变薄，第三氧化硅层厚区厚度处于300-2000A之间。

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