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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利高效面积的N路径滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116232279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210447932.5，技术领域涉及：H03H11/04；该发明授权高效面积的N路径滤波器是由萨尔肯·希尤斯;梁宝文;林嘉亮设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本高效面积的N路径滤波器在说明书摘要公布了：N路径滤波器包含若干个开关电容电路，分别受若干个逻辑信号控制，并连接于分路共接节点。每一开关电容电路包含一对应的开关及一对应的平衡金属氧化物半导体MOS电容。该对应的开关用以根据该些逻辑信号中的一对应的逻辑信号，可控地将分路共接节点连接至一对应的中间节点。该对应的平衡MOS电容连接于该对应的中间节点，其中该对应的平衡MOS电容是参考于一电源节点及一接地节点，而于该对应的中间节点展示一电容量。

本发明授权高效面积的N路径滤波器在权利要求书中公布了：1.一种N路径滤波器，包含若干个开关电容电路，分别由若干个逻辑信号控制并连接于一分路共接节点，其中每一个开关电容电路包含： 一开关，用以根据该些逻辑信号中的一对应的逻辑信号，可控地将该分路共接节点连接至一对应的中间节点；及 一平衡金属氧化物半导体电容，连接该对应的中间节点，其中该平衡金属氧化物半导体电容参考于一第一直流节点及一第二直流节点而于该对应的中间节点展示一电容量，该对应的中间节点的一电压电平大于该第一直流节点的一电压电平且小于该第二直流节点的一电压电平，其中N为大于1的一整数； 其中该平衡金属氧化物半导体电容包含： 一下侧电容，包含一第一金属氧化物半导体晶体管，插入于该对应的中间节点及该第一直流节点之间，该第一金属氧化物半导体晶体管的一源极及一漏极相连接；及 一上侧电容，包含一第二金属氧化物半导体晶体管，插入于该第二直流节点及该对应的中间节点之间，该第二金属氧化物半导体晶体管的一源极及一漏极相连接； 其中，该第一金属氧化物半导体晶体管为一P型金属氧化物半导体晶体管，该P型金属氧化物半导体晶体管的该源极及一栅极分别连接至该对应的中间节点及该第一直流节点；且该第二金属氧化物半导体晶体管为一N型金属氧化物半导体晶体管，该N型金属氧化物半导体晶体管的该源极及一栅极分别连接至该对应的中间节点及该第二直流节点。

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