华映科技(集团)股份有限公司陈伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华映科技(集团)股份有限公司申请的专利一种通过多次光阻涂布避免短接的阵列基板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310228570.5，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种通过多次光阻涂布避免短接的阵列基板的制造方法是由陈伟;金剑辉设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过多次光阻涂布避免短接的阵列基板的制造方法在说明书摘要公布了：一种通过多次光阻涂布避免短接的阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上经成膜、曝光、显影、蚀刻及剥膜后图案化出第一金属层；采用PECVD方式沉积一层绝缘层；在绝缘层上涂布一层光阻，其厚度为原有设计的12，并进行VCD、软烤制程，去除光阻内的溶剂；在第一次软烤后的光阻上继续涂布一层光阻，其厚度也是为原有设计的12；对已涂布好的第一层光阻和第二层的光阻进行正常的曝光，显影制程；进行干蚀刻制程，蚀刻掉未被光阻保护的绝缘层，并剥膜去掉光阻，绝缘层上正常沉积第二金属层。本发明基于现有光罩、制程情况下，仅变更光阻的涂布次数及厚度，可有效避免此制程异常，提高产品良率。
本发明授权一种通过多次光阻涂布避免短接的阵列基板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种通过多次光阻涂布避免短接的阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤： 第一步：在玻璃基板上经成膜、曝光、显影、蚀刻及剥膜后图案化出第一金属层； 第二步：采用PECVD方式沉积一层绝缘层； 第三步：所述绝缘层进行第一次Photo制程：在所述绝缘层上涂布一层光阻，其厚度为原有设计的12，并进行VCD、软烤制程，去除光阻内的溶剂； 第四步：所述绝缘层进行第二次Photo制程：在第一次软烤后的光阻上继续涂布一层光阻，其厚度也是为原有设计的12； 第五步：对已涂布好的第一层光阻和第二层光阻进行正常的曝光，显影制程； 第六步：进行干蚀刻制程，蚀刻掉未被光阻保护的绝缘层，并剥膜去掉光阻，绝缘层上正常沉积第二金属层。
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