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龙图腾网获悉华映科技(集团)股份有限公司申请的专利一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310228565.4，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法是由陈伟;金剑辉设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法在说明书摘要公布了：一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上形成TFT器件，TFT器件中的绝缘层均采用SiOx，并在TFT器件上方形成相应的有机平坦层，有机平坦层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上图案化出公共电极层；在所述公共电极层上采用PECVD方式沉积一层第二绝缘层SiOx作为像素电容膜层；在所述第二绝缘块通上采用PVD方式沉积一层透明电极ITO层，其厚度在100～200A之间。本发明在第二绝缘层即像素电容膜层成膜后沉积一层薄薄的透明ITO，用于阻挡因光阻气泡破洞渗入的干蚀刻气体，就可避免因光阻气泡而造成的制程不良，从而提高产品良率，增加产品效益。

本发明授权一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤： 第一步：在玻璃基板上形成TFT器件，所述TFT器件中的绝缘层均采用SiOx，并在所述TFT器件上方形成相应的有机平坦层，所述有机平坦层上形成第一绝缘层； 第二步：在所述第一绝缘层上图案化出公共电极层； 第三步：在所述公共电极层上采用PECVD方式沉积一层第二绝缘层SiOx作为像素电容膜层； 第四步：在所述第二绝缘层上采用PVD方式沉积一层透明电极ITO层，其厚度在100~200Å之间； 第五步：进行第一次曝光显影制程，曝光显影出像素电极层与源漏极的接触孔； 第六步：进行湿蚀刻制程，采用草酸蚀刻掉未被光阻覆盖到的透明电极ITO； 第七步：进行第二次曝光显影制程，曝光显影出像素电极层与源漏极的接触孔； 第八步：进行干蚀刻制程，采用SF6蚀刻气体对所述像素电容膜层进行图案化，蚀刻掉未被光阻保护的下方SiOx； 第九步：进行剥膜制程，图案化蚀刻完后用剥膜液去掉上方光阻； 第十步：在所述透明电极ITO层上方沉积像素电极层； 第十一步：采用曝光、显影、湿蚀刻制程，图案化出像素电极。

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