长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院郁梦康获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利电容器及其制备方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111473510.7，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容器及其制备方法以及半导体器件是由郁梦康;苏星松;白卫平设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器及其制备方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供一种电容器及其制备方法以及半导体器件，所述电容器包括多个下电极、上电极结构、电介质层和间隙填充层；多个上电极结构，形成在多个下电极的一侧；电介质层的一侧接触多个下电极，另一侧接触上电极结构；间隙填充层填充多个下电极之间的剩余间隙。本公开示例性的实施例所提供的电容器，其尺寸调整不会受到制程工艺的限制，提高了单位体积内的电容密度。
本发明授权电容器及其制备方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电容器，其特征在于， 所述电容器包括： 多个下电极； 上电极结构，形成在所述多个下电极的一侧； 电介质层，所述电介质层的一侧接触所述多个下电极，另一侧接触所述上电极结构； 间隙填充层，填充所述多个下电极之间的剩余间隙，沿所述间隙填充层的厚度方向,所述下电极的长度与所述电介质层的长度相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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