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龙图腾网获悉青岛融合微电子科技有限公司申请的专利一种倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310149022.3，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法是由朱帅;康志杰设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，属于倒装LED芯片技术领域。其技术方案为：对圆晶基底进行光刻与刻蚀，形成N电极导电平台；ITO层的蒸镀与退火；DBR层的沉积，再通过光刻工艺形成第一通道；PAD层的蒸镀。本发明的倒装LED芯片的制备方法缩短了制程时间，提高芯片产出效率，并节省物料。新的固晶方式提高了固晶成功率及固晶产出，降本提效。

本发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1对晶圆基底进行清洗，圆晶基底包括蓝宝石、N-GaN外延层、发光层和P-GaN外延层； S2在P-GaN外延层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉P-GaN外延层四周的正性光刻胶； S3通过干法刻蚀的方法，将暴露出的P-GaN外延层及其下方的发光层和部分N-GaN外延层去除，随后去掉剩余的正性光刻胶，形成N电极导电平台； S4在步骤S3得到的半成品的上表面进行ITO层的蒸镀与退火； S5在ITO层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉ITO层四周的正性光刻胶； S6通过湿法腐蚀的方法，将暴露出的ITO层去除，露出下方的P-GaN外延层，随后去掉剩余的正性光刻胶； S7在步骤S6得到的半成品的上表面沉积DBR层； S8在DBR层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉DBR层上位于ITO层中心处以及绕N电极导电平台一圈的正性光刻胶，使去掉正性光刻胶的位置形成回字形； S9通过干法刻蚀的方法，将暴露出的DBR层去除，形成与ITO层和N-GaN外延层接触的第一通道，随后去掉剩余的正性光刻胶； S10在步骤S9得到的半成品的上表面涂上负性光刻胶，经曝光、显影去除掉第一通道上的负性光刻胶； S11在步骤S10得到的半成品的上表面蒸镀PAD层，随后剥离掉负性光刻胶，从而在第一通道上镀上PAD层。

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