长江存储科技有限责任公司王溢欢获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211542608.8，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权三维存储器及其制备方法是由王溢欢;肖亮;张明康;李倩设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供晶圆结构，所述晶圆结构包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一衬底、第一绝缘层以及功能层，所述第一衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一绝缘层形成在所述第一表面上，所述功能层形成在所述第二表面上；在所述第一绝缘层与所述第一衬底内形成接触孔，所述接触孔露出所述功能层；在所述接触孔内形成所述第一触点，所述第一触点与所述功能层平齐。本申请的三维存储器结构平整，三维存储器的良率较高。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 晶圆结构，所述晶圆结构包括第一衬底、绝缘结构以及功能层； 所述第一衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面； 所述绝缘结构包括位于所述第一表面的第一绝缘层以及贯穿所述第一衬底的绝缘体； 所述功能层位于所述第二表面，且所述功能层包括与所述绝缘体不同的材料； 第一触点，所述第一触点位于所述第一绝缘层与所述绝缘体内； 第一连接结构，所述第一连接结构贯穿所述功能层与所述第一衬底连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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