买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种硅基全介质太赫兹超材料器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116191040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175432.5，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种硅基全介质太赫兹超材料器件及其制备方法是由黄异;林廷玲;钟舜聪;张政浩;黄永林设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基全介质太赫兹超材料器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种硅基全介质太赫兹超材料器件的制备方法，具有可在太赫兹波段支持多重共振的表面结构，所述表面结构以在硅片表面周期性刻蚀的凹槽和通孔结构单元形成太赫兹波段的多重共振结构；所述凹槽和通孔的结构单元是由凹槽和凸槽及位于其正中间的两个通孔构成；当表面结构对太赫兹波进行电磁诱导时，加工有凹槽的一端朝向太赫兹波的入射端，没有加工凹槽的一端朝向太赫兹波的出射端；应用本技术方案可实现通过多次光刻技术和深硅刻蚀，能在同个硅片表面制备两种不同凹槽深度的硅基微结构。

本发明授权一种硅基全介质太赫兹超材料器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基全介质太赫兹超材料器件的制备方法，具有可在太赫兹波段支持多重共振的表面结构，其特征在于：所述表面结构以在硅片表面周期性刻蚀的凹槽和通孔结构单元形成太赫兹波段的多重共振结构；所述凹槽和通孔的结构单元是由凹槽和凸槽及位于其正中间的两个通孔构成；当表面结构对太赫兹波进行电磁诱导时，加工有凹槽的一端朝向太赫兹波的入射端，没有加工凹槽的一端朝向太赫兹波的出射端； 制备所述一种硅基全介质太赫兹超材料器件包括以下步骤： 步骤S1：在硅片上覆以光刻胶，通过光刻工艺将掩膜版上的周期性凹槽图案复制到光刻胶上，再通过深硅刻蚀对硅片暴露的凹槽位置进行刻蚀，形成不同深度的凹槽； 步骤S2：在步骤S1中加工的具有凹槽图案的硅基太赫兹超材料上覆以光刻胶，通过光刻工艺将通孔结构复制到光刻胶上，再通过深硅刻蚀进一步刻蚀暴露出来的通孔结构区域； 所述硅片为厚度为200μm的硅片表面；所述凹槽和通孔的结构单元在硅表面呈行列均匀刻蚀，其周期为260和130μm；所述凹槽和通孔的结构单元中，凹槽宽度为130μm，深度分别为14和20μm，凸槽宽度为130μm，两个通孔大小为80μm； 步骤S1中通过深硅刻蚀对硅片暴露的凹槽位置进行刻蚀，形成14和20μm深的凹槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州大学，其通讯地址为：350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。